2MBI200U4D-120-50 是一款由富士电机(Fuji Electric)生产的IGBT(绝缘栅双极晶体管)模块,广泛应用于高功率电子设备中,例如变频器、电机驱动器和逆变器等。该模块采用双列直插式封装(DIP),内部集成了IGBT芯片和反向并联的快速恢复二极管,具有较高的可靠性和效率。其设计旨在提供优异的热性能和电气性能,以满足工业控制和电力电子应用的严苛要求。
类型:IGBT模块
额定集电极电流(IC):200A
最大集电极-发射极电压(VCES):1200V
封装形式:DIP(双列直插式封装)
短路耐受能力:有
工作温度范围:-40°C 至 +150°C
安装方式:底座安装
封装尺寸:标准工业模块尺寸
热阻(Rth):典型值根据散热条件不同而变化
2MBI200U4D-120-50 模块具有多个关键特性,使其适用于高功率和高性能要求的应用。首先,该模块的IGBT芯片采用先进的沟道技术和场截止结构,实现了低导通压降和低开关损耗,从而提高了整体系统效率。其次,模块内部集成的快速恢复二极管能够有效减少反向恢复损耗,并增强模块在高频开关环境下的稳定性。此外,该模块具有较高的短路耐受能力,能够在异常工作条件下提供额外的安全保障。模块的封装设计采用了高质量的绝缘材料和焊接技术,确保了长期使用的可靠性和耐久性。最后,其良好的热管理能力使得模块能够在高温环境下稳定运行,适用于各种严苛的工业环境。
该模块广泛应用于各种电力电子设备中,包括工业变频器、伺服驱动器、不间断电源(UPS)、太阳能逆变器、电动汽车充电设备以及电焊机等。由于其高功率密度和出色的热性能,2MBI200U4D-120-50 也常用于需要高效能和高可靠性的中高功率电机控制系统中。
2MBI200U4B120-50, 2MBI200U4H120-50