AR25-A13T 时间：2025/9/23 18:24:25 阅读：8

AR25-A13T是一款由Alpha & Omega Semiconductor（简称AOS）生产的高性能、低电压、低功耗的P沟道增强型场效应晶体管（MOSFET），广泛应用于便携式电子设备和电池供电系统中。该器件采用先进的TrenchFET技术，能够在较小的封装尺寸下提供优异的导通性能和开关特性。AR25-A13T特别适用于需要高效率电源管理的场合，例如智能手机、平板电脑、可穿戴设备以及各类消费类电子产品中的负载开关、电源路径管理和电池保护电路等。其主要优势在于低导通电阻（RDS(on)）、快速开关速度和良好的热稳定性，有助于减少系统功耗并提升整体能效。此外，该MOSFET具备良好的抗静电能力（ESD protection）和可靠性，在严苛的工作环境下仍能保持稳定运行。器件符合RoHS环保标准，采用SOT-23或类似小型化表面贴装封装，便于在高密度PCB布局中使用。

参数

型号：AR25-A13T
　　类型：P沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：-20V
　　最大栅源电压（VGS）：±12V
　　连续漏极电流（ID）：-2.3A（@TA=25°C）
　　脉冲漏极电流（IDM）：-6.9A
　　导通电阻（RDS(on)）：42mΩ @ VGS = -4.5V
　　导通电阻（RDS(on)）：50mΩ @ VGS = -2.5V
　　阈值电压（Vth）：-1.0V ~ -1.6V
　　输入电容（Ciss）：320pF @ VDS=10V
　　开启延迟时间（td(on)）：7ns
　　关断延迟时间（td(off)）：18ns
　　工作结温范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：SOT-23

特性

AR25-A13T P沟道MOSFET采用了AOS专有的先进TrenchFET制造工艺，这种深沟槽结构技术显著降低了器件的导通电阻，从而在低电压应用中实现更高的能效。其典型的RDS(on)仅为42mΩ（在VGS = -4.5V条件下），意味着在相同电流下产生的导通损耗更小，有助于延长电池供电设备的续航时间。同时，由于是P沟道器件，它在高边开关应用中无需额外的电荷泵电路即可实现负载的完全关断，简化了电源设计并降低了系统成本。该器件的阈值电压范围为-1.0V至-1.6V，确保了在低栅极驱动电压下也能可靠开启，兼容3.3V或更低逻辑电平控制信号。
　　在动态性能方面，AR25-A13T表现出色，具有较低的输入电容（Ciss = 320pF）和快速的开关响应时间（开启延迟约7ns，关断延迟约18ns），使其非常适合用于高频开关应用，如DC-DC转换器中的同步整流或负载切换。此外，器件内部集成了体二极管，具备一定的反向电流抑制能力，可在某些瞬态条件下提供保护作用。得益于SOT-23小型封装，AR25-A13T不仅节省PCB空间，还具备良好的散热性能，通过优化的引线框架设计将热阻控制在合理范围内，确保长时间工作下的可靠性。
　　该MOSFET还具备较强的环境适应性和鲁棒性，工作结温范围宽达-55°C至+150°C，可在高温或低温环境下稳定运行。产品通过了严格的可靠性测试，包括高温反向偏压（HTRB）、高温栅极偏压（HTGB）和温度循环测试，确保在各种应用场景下的长期稳定性。此外，器件符合无铅和RoHS指令要求，支持绿色环保生产流程。总体而言，AR25-A13T是一款集高性能、小尺寸与高可靠性于一体的P沟道MOSFET，特别适合对空间和功耗敏感的现代便携式电子设备。

应用

AR25-A13T广泛应用于各类便携式消费电子产品中，作为电源开关或负载开关使用，例如在智能手机和平板电脑中用于控制不同功能模块的供电通断，实现节能待机或系统级电源管理。在电池管理系统（BMS）中，该器件可用于电池充放电回路的控制，配合充电管理IC实现过流、过压保护功能。此外，它也常被用作DC-DC转换器中的高边开关元件，尤其是在非隔离式降压（Buck）变换器中，利用其P沟道特性简化驱动电路设计，避免使用复杂的自举电路或电荷泵。在USB电源开关电路中，AR25-A13T能够有效控制输出电流，防止短路或过载情况下的系统损坏。由于其具备良好的热稳定性和快速响应能力，该器件同样适用于热插拔电路、电源多路复用器以及各类低电压逻辑控制开关场景。在工业传感器、IoT终端设备和可穿戴设备中，AR25-A13T凭借其小封装和低功耗特性，成为实现紧凑型高效电源设计的理想选择。