时间：2025/12/27 8:54:45
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24NM70是一款由STMicroelectronics（意法半导体）生产的N沟道增强型功率MOSFET，采用先进的沟槽栅极和薄芯片技术制造，专为高效率电源转换应用设计。该器件在60V的漏源电压（VDS）下可提供高达70A的连续漏极电流（ID），具备极低的导通电阻（RDS(on)），从而显著降低导通损耗，提高系统整体能效。24NM70特别适用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机驱动以及电池管理系统等对功率密度和热性能要求较高的场合。其封装形式通常为PowerFLAT 5x6或类似的小尺寸表面贴装封装，有助于节省PCB空间并提升散热效率。由于采用了先进的工艺技术，该MOSFET具有良好的雪崩耐受能力和抗短路能力，能够在瞬态过载条件下保持稳定运行，增强了系统的可靠性。此外，24NM70还优化了栅极电荷（Qg）和输出电容（Coss），以减少开关损耗，使其在高频开关应用中表现出色。该器件符合RoHS环保标准，并通过了AEC-Q101汽车级认证，适合在严苛的工业与汽车环境中使用。
型号：24NM70
制造商：STMicroelectronics
晶体管类型：N沟道MOSFET
漏源电压VDS：60V
连续漏极电流ID：70A（@Tc=25°C）
脉冲漏极电流IDM：280A
导通电阻RDS(on) max：3.3mΩ（@VGS=10V, ID=35A）
导通电阻RDS(on) max：4.0mΩ（@VGS=4.5V, ID=35A）
栅源阈值电压VGS(th)：2.0V ~ 3.0V
栅极电荷Qg（总）：65nC（@VDS=30V）
输入电容Ciss：3400pF（@VDS=30V）
反向恢复时间trr：28ns
最大功耗Ptot：200W（@Tc=25°C）
工作结温范围Tj：-55°C ~ +175°C
封装类型：PowerFLAT 5x6
24NM70的核心优势在于其卓越的导通性能和高效的开关特性。该器件采用ST的最新沟道MOSFET技术，实现了极低的导通电阻，在VGS=10V时RDS(on)仅为3.3mΩ，这意味着在大电流工作条件下能够显著减少I2R损耗，从而降低温升，提升系统效率。这一特性使其非常适合用于高电流、低电压的电源架构中，如服务器电源、电信设备和电动工具驱动电路。同时，该MOSFET在VGS=4.5V时仍能保持4.0mΩ的低导通电阻，表明其具备良好的逻辑电平兼容性，可直接由微控制器或PWM控制器驱动，无需额外的电平转换电路，简化了设计复杂度。
在开关性能方面，24NM70优化了栅极电荷（Qg）和米勒电容（Crss），总栅极电荷仅为65nC，有助于减少驱动损耗并加快开关速度。低输入电容（Ciss）和输出电容（Coss）进一步降低了开关过程中的能量损耗，使器件能够在数百kHz甚至更高的频率下高效运行，适用于现代高频DC-DC变换器和同步整流应用。此外，该器件具有出色的热稳定性，其最大功耗可达200W（在理想散热条件下），结合PowerFLAT 5x6封装的优异散热性能，能够有效将热量传导至PCB，避免局部过热问题。
从可靠性角度看，24NM70具备较强的雪崩能量承受能力，能够在电源突变或感性负载关断时吸收瞬态能量而不损坏。其反向恢复时间较短（28ns），减少了体二极管反向恢复带来的尖峰电流和电磁干扰（EMI），提高了系统稳定性。器件的工作结温范围宽达-55°C至+175°C，适应极端环境条件下的长期运行。加之通过AEC-Q101认证，24NM70也广泛应用于车载充电器、DC-DC转换模块和电动助力转向系统等汽车电子领域。
24NM70广泛应用于需要高电流、低损耗功率开关的各种电力电子系统中。典型应用场景包括：开关模式电源（SMPS），尤其是高效率的AC-DC和DC-DC转换器；服务器和通信设备中的多相电压调节模块（VRM），用于为核心处理器提供稳定的低压大电流供电；电池供电系统，如电动自行车、无人机和便携式储能设备中的电机驱动和电源管理单元；工业自动化设备中的直流电机控制和H桥驱动电路；太阳能逆变器和UPS不间断电源中的同步整流与功率切换模块；此外，得益于其汽车级认证，该器件也被用于车载充电机（OBC）、车载DC-DC转换器以及电动汽车的辅助电源系统。其小尺寸封装和高功率密度特性，使其成为空间受限但性能要求高的设计理想选择。
STL24N6F7AG, IRLB8743, IXFN70N60P3, FDD8870
