制造商：Samsung Electro-Mechanics
　　产品类型：多层陶瓷电容器（MLCC）
　　封装/尺寸：0805（CL21）
　　电容值：1μF
　　容差：±10%
　　额定电压：50V DC
　　介质材料：X7R（或类似特性）
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　温度特性：ΔC/C ≤ ±15%（在-55°C至+125°C范围内）
　　直流偏压特性：随电压增加电容略有下降（典型X7R行为）
　　绝缘电阻：≥ 1000 MΩ 或 ≥ 100 MΩ·μF（取较大者）
　　耐久性：在额定电压和125°C下持续工作1000小时后，电容变化不超过初始值的±15%，漏电流不超标
　　安装方式：表面贴装（SMD）
　　端接类型：镍阻挡层 + 锡覆盖（Ni/Sn），兼容无铅焊接
　　包装形式：卷带编带（Tape and Reel），适用于自动贴片机

CL21B105KAFNNNF采用先进的叠层陶瓷制造工艺，具备优异的电性能稳定性和机械强度。其核心介质材料为钡钛矿系陶瓷（如BaTiO3）掺杂改性而成的X7R类配方，能够在宽温范围内保持相对稳定的电容值，温度系数满足EIA标准X7R规范，即在-55°C到+125°C之间，电容变化不超过±15%。这种稳定性使其适用于对电容精度有一定要求但又不需要NP0/C0G级别超高精度的应用场景。该器件具有较低的等效串联电阻（ESR）和适中的等效串联电感（ESL），因此在高频去耦应用中表现出良好的噪声抑制能力，尤其在几十MHz以下频段效果显著。由于采用了0805小型封装，它在有限的PCB空间内提供了较高的电容密度，相较于更小尺寸如0603或0402，在相同电压和容量下具有更好的直流偏压特性和可靠性。值得注意的是，陶瓷电容器的电容值会随着施加的直流偏置电压升高而降低，这是铁电介质材料的固有特性；对于1μF/50V的X7R MLCC，在接近额定电压时电容值可能下降30%-50%，设计时需参考具体厂商提供的DC bias曲线进行降额评估。此外，该器件对机械应力较为敏感，PCB弯曲或热胀冷缩可能导致裂纹进而引发短路失效，建议在布局时避免靠近板边或大质量元件，并采用适当的焊盘设计和组装工艺控制。其端电极为三层电极结构（Cu/Ni/Sn），确保良好的可焊性和长期环境耐受性，防止潮气渗透和电迁移问题。整体而言，CL21B105KAFNNNF是一款性价比高、通用性强的表面贴装电容器，适用于大批量自动化生产。
　　

该器件广泛用于各类电子系统的电源轨滤波与信号耦合应用。常见应用场景包括：智能手机、平板电脑、路由器等消费类电子产品的DC-DC转换器输入输出端滤波，用于平滑电压波动并降低传导噪声；在微处理器、FPGA或ASIC的每个电源引脚附近作为去耦电容，快速响应瞬态电流需求，维持局部供电稳定；在工业控制模块、传感器接口电路中用于模拟前端的交流耦合与噪声旁路；也可用于LED驱动电源、充电管理IC周边电路以及汽车电子中的非引擎舱控制系统（如信息娱乐系统）。由于其工作温度范围较宽且符合AEC-Q200部分等级要求（需确认具体批次认证情况），在车载低压电器中有一定适用性。此外，在开关电源（SMPS）的次级输出滤波网络中，常与其他电容并联以提升整体滤波效能。因其非极性特性，也适用于交流信号路径中的隔直通交功能。在电磁兼容（EMC）设计中，该类MLCC常被用来抑制高频干扰，提高系统抗扰度。考虑到其环保合规性（无铅、无卤），符合现代绿色电子产品设计趋势，适用于出口型设备和高可靠性工业产品。使用时应注意避免过压、过温及机械冲击，并结合PCB布局优化接地路径，以充分发挥其性能优势。

GRM21BR71H105KA01L
　　C2012X7R1H105K
　　CL21A105KOANNNC
　　EMK212BJ1H105KA-L