23N50 时间：2025/8/9 17:30:30 阅读：38

23N50 是一款N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机控制和功率放大器等高功率场景。该器件采用TO-220封装，具有较低的导通电阻和较高的耐压能力，能够承受较大的电流和电压应力，适用于高效率和高可靠性的电源系统设计。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（Vds）：500V
　　栅源电压（Vgs）：±30V
　　漏极电流（Id）：连续23A
　　导通电阻（Rds(on)）：典型值0.15Ω（最大0.18Ω）
　　功率耗散（Ptot）：125W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-220
　　三极管增益带宽积：N/A

特性

23N50 MOSFET具有多个显著的技术特性。首先，其高耐压能力（500V）使其适用于多种高压电源转换应用，如开关电源（SMPS）和逆变器系统。其次，导通电阻低至0.15Ω，有助于降低导通损耗，提高系统整体效率。此外，该器件支持连续23A的漏极电流，具备较强的负载能力，适合用于高功率输出场景。23N50还具备良好的热稳定性和过载保护性能，能够在高温环境下稳定运行。TO-220封装结构便于安装和散热管理，提升了其在工业级应用中的适用性。最后，该器件具备快速开关特性，适用于高频开关电路，从而减小外围电路的体积并提升系统响应速度。
　　在可靠性方面，23N50设计有良好的短路和过热保护能力，能够在极端条件下维持稳定运行。其栅极驱动电压范围宽泛，兼容常见的10V和12V驱动电路，便于集成到不同类型的功率控制电路中。综合来看，23N50是一款性能稳定、可靠性高、适用范围广的功率MOSFET。

应用

23N50 MOSFET常用于各类高功率电子设备和系统中。例如，在开关电源（SMPS）中，它被用作主开关器件，用于高效转换和调节电压；在DC-DC转换器中，该器件可作为功率开关，实现电压升压或降压功能；在电机驱动和控制系统中，23N50可用于控制电机的转速和方向，适用于电动车、工业自动化设备和家用电器等领域。此外，它还可用于逆变器、UPS（不间断电源）、LED驱动器和高频放大器等应用。由于其优异的导通性能和耐高压特性，23N50在电力电子领域中具有广泛的应用前景。