电容值：1000pF (1nF)
　　容差：±5%
　　额定电压：50V
　　封装形式：表面贴装（SMT）
　　温度系数：X7R或X5R（根据制造商不同可能有所变化）
　　工作温度范围：-55°C至+125°C
　　绝缘电阻：10,000MΩ min.
　　额定寿命：10,000小时

21CG102J50AT 多层陶瓷电容器具有优异的高频特性，能够有效地在高频电路中提供稳定的电容性能。其采用陶瓷介质和多层结构设计，使得电容器在各种工作条件下都能保持较高的稳定性和可靠性。此外，这款电容器具备良好的温度稳定性，能够在-55°C至+125°C的宽温度范围内正常工作，适合各种严苛环境下的应用。
　　由于其表面贴装封装形式，21CG102J50AT 适用于自动化生产流程，可以方便地安装在PCB上，提高生产效率并减少电路板空间占用。这款电容器还具有较低的等效串联电阻（ESR）和等效串联电感（ESL），有助于减少电路中的损耗和噪声，提高整体电路性能。
　　在可靠性方面，21CG102J50AT 通过了多项严格的工业标准测试，包括耐久性测试、温度循环测试等，确保其在长期使用过程中具有较高的稳定性和寿命。

21CG102J50AT 陶瓷电容器常用于各种电子设备和系统中，特别是在需要高稳定性和高性能的场合。例如，在电源管理电路中，它可以用作去耦电容，以减少电源噪声并提高电源效率；在射频（RF）电路中，它可以用于滤波和匹配网络，以优化信号传输质量；在数字电路中，它能够有效地减少高频噪声，提高系统的稳定性。
　　此外，这款电容器也广泛应用于消费类电子产品、工业控制系统、汽车电子、通信设备等领域。在汽车电子中，它可用于发动机控制单元（ECU）、车载娱乐系统、传感器模块等关键部件，确保车辆电子系统的可靠运行。

CL10B102JB8NNNC, GRM188R71H103KA01D, C0805C102J5RACTU