时间：2025/9/14 2:16:54
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PBSS5240V,115 是一款由 Nexperia（安世半导体）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用 Trench MOS 技术制造，具有低导通电阻和高效率的特点。该器件适用于需要高效功率管理的应用场景，如电源转换、电机控制、负载开关等。其封装形式为 SOT-223，适用于表面贴装工艺，便于在 PCB 上进行集成。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压(Vds)：40V
栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：5.8A
导通电阻(Rds(on))：30mΩ @ Vgs=10V
功率耗散(Pd)：2.8W
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
封装类型：SOT-223
PBSS5240V,115 的主要特性包括低导通电阻、高电流承载能力和良好的热稳定性。其 Rds(on) 仅为 30mΩ，在高电流工作条件下仍能保持较低的功率损耗，从而提高整体系统的效率。该 MOSFET 的最大连续漏极电流为 5.8A，能够满足多种功率应用的需求。此外，其 SOT-223 封装形式不仅节省空间，还具有良好的散热性能，适合高密度设计。
该器件的栅极驱动电压范围为 ±20V，兼容标准逻辑电平驱动，适用于各种控制电路。其工作温度范围宽，从 -55°C 到 150°C，可在恶劣环境中稳定工作。此外，该 MOSFET 具有较高的可靠性，符合 AEC-Q101 汽车级标准，适用于汽车电子系统等高要求的应用场景。
PBSS5240V,115 广泛应用于多个领域，包括电源管理、DC-DC 转换器、电池管理系统、负载开关、电机控制和汽车电子等。在电源管理系统中，它可以作为高效的功率开关，用于调节和分配电源；在 DC-DC 转换器中，该器件能够提高转换效率并降低发热；在电池管理系统中，其低导通电阻特性有助于延长电池续航时间；在电机控制电路中，可用于实现 PWM 控制，提高控制精度和响应速度；此外，由于其符合汽车级标准，因此在汽车电子系统中也有广泛应用，如车灯控制、风扇驱动和车载充电系统等。
Si2302DS, IRLL2703PBF, FDS6675, NDS355AN
