218-8LPSTR 时间：2025/10/11 1:41:57 阅读：12

218-8LPSTR是一种由Vishay Semiconductors生产的表面贴装红外线发射二极管（Infrared Emitting Diode），属于Vishay VSMY系列的一部分。该器件专为需要高辐射强度和高可靠性的红外应用而设计，广泛应用于消费电子、工业控制、通信设备以及传感系统中。218-8LPSTR采用紧凑的表面贴装封装（SMD），尺寸小，适合自动化贴片生产，具有良好的焊接稳定性和热性能。其发光波长典型值在940nm左右，属于近红外光谱范围，能够与多种硅基光电探测器（如光电晶体管、光电二极管）良好匹配，实现高效的光信号传输。
　　该器件的工作原理基于半导体PN结的电致发光效应，当正向电流通过时，电子与空穴复合释放出光子，产生红外光。218-8LPSTR具备较高的辐射效率，在较低驱动电流下即可输出较强的红外光通量，有助于降低系统功耗并延长使用寿命。此外，其封装材料具有优异的抗紫外线和耐湿性，可在较宽的环境条件下稳定工作。由于采用黑色环氧树脂封装，该器件对外部环境光具有较强的抑制能力，减少了背景光干扰，提升了信噪比和系统可靠性。

参数

型号：218-8LPSTR
　　制造商：Vishay Semiconductors
　　产品类型：红外发射二极管
　　波长类型：峰值波长
　　峰值波长：940 nm
　　正向电压（典型值）：1.35 V
　　正向电压（最大值）：1.6 V
　　反向电压：5 V
　　连续正向电流：100 mA
　　脉冲正向电流（峰值）：1 A
　　功耗：150 mW
　　发光角度：±17°
　　响应时间（开启）：20 ns
　　响应时间（关闭）：20 ns
　　工作温度范围：-40°C ~ +100°C
　　存储温度范围：-40°C ~ +100°C
　　封装/外壳：表面贴装，ChipLED
　　尺寸：1.6 mm x 1.6 mm x 0.8 mm
　　引脚数：2

特性

218-8LPSTR具备出色的光学性能和电气稳定性，能够在低功耗条件下提供高强度的红外辐射输出。其峰值波长为940nm，处于人眼不可见的近红外区域，适用于遥控、红外数据传输和感应类应用。在100mA正向电流下，其典型辐射强度可达30mW/sr以上，确保在短距离或中距离通信中具有良好的信号穿透能力和接收灵敏度。该器件的发光角度为±17°，属于窄角发射类型，有利于集中光束能量，提升方向性和抗干扰能力，特别适合需要定向照射的应用场景，如接近传感器、位置检测等。
　　该器件采用表面贴装的ChipLED封装技术，体积小巧（1.6mm x 1.6mm x 0.8mm），便于集成到高密度PCB布局中，支持回流焊工艺，符合现代电子产品小型化和自动化生产的需求。封装材料使用黑色环氧树脂，有效吸收环境可见光，减少杂散光对系统的影响，从而提高信噪比。同时，该材料具备良好的耐温性和抗湿性，能够在-40°C至+100°C的宽温度范围内稳定工作，适用于工业级和汽车级应用环境。
　　电气方面，218-8LPSTR具有较低的正向导通电压（典型1.35V），可兼容低电压逻辑电路供电系统，如3.3V或5V电源轨，降低了驱动电路的设计复杂度。其最大连续正向电流为100mA，脉冲电流可达1A（占空比受限），适用于连续发射或脉冲调制模式（如红外遥控中的载波调制）。快速的开关响应时间（开通和关断均为20ns）使其能够支持高频信号调制，满足高速数据传输需求。此外，器件具备一定的反向电压耐受能力（5V），并在内部结构上优化了静电放电（ESD）防护，提高了在实际使用中的可靠性。

应用

218-8LPSTR广泛应用于各类需要红外发射功能的电子系统中。在消费电子领域，常用于电视、空调、音响等家电的红外遥控器中作为发射光源，配合编码芯片实现无线指令传输。由于其窄光束角和高辐射强度，可确保遥控信号准确指向接收端，减少误操作。在通信领域，可用于红外数据接口（如IrDA物理层兼容应用），实现设备间的短距离无线数据交换，例如打印机、PDA或嵌入式系统的点对点通信。
　　在传感器系统中，218-8LPSTR可作为主动式光学传感器的光源，配合光电接收器构成反射式或对射式检测模块，用于自动感应水龙头、干手机、电梯门防夹、纸张检测、液位检测等场合。其快速响应特性也使其适用于编码器、转速测量、位置识别等工业自动化设备中。此外，在安防监控系统中，该器件可用于夜视摄像头的红外补光灯阵列，提供无红曝的隐蔽照明。由于其小型化和高可靠性，也适用于便携式设备、智能家居终端和物联网感知节点中的红外传感与通信模块。