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2SC5824T100R 发布时间 时间:2025/5/8 10:37:02 查看 阅读:20

2SC5824T100R是一种NPN型双极性晶体管,广泛应用于高频和高功率场景。该晶体管设计用于射频放大器、开关电路以及其他需要高效能和稳定性的电子应用中。其出色的增益性能和低噪声特性使其成为通信设备和无线应用的理想选择。
  2SC5824T100R采用TO-3金属封装,具有良好的散热性能和机械强度,适合大功率和高可靠性要求的场合。

参数

集电极-发射极电压(Vce):80V
  集电极电流(Ic):40A
  功率耗散(Ptot):100W
  过渡频率(Ft):700MHz
  直流电流增益(hFE):20至60
  工作温度范围:-55℃至+150℃

特性

1. 高增益和高频性能,适用于射频放大器和其他高频应用。
  2. 良好的热特性和机械稳定性,确保在极端环境下的可靠运行。
  3. 采用TO-3封装形式,便于安装和维护。
  4. 具有较高的集电极电流和功率耗散能力,支持大功率应用场景。
  5. 宽广的工作温度范围,适应各种工业和军事应用需求。

应用

1. 射频功率放大器,特别是在通信系统和广播设备中。
  2. 高频开关电路,例如脉冲调制器和信号处理单元。
  3. 工业加热设备中的功率控制模块。
  4. 军事和航空航天领域中的高性能电子设备。
  5. 音频功率放大器和其他需要高功率输出的音频应用。

替代型号

2SC5824T, 2SC5824T100, MRF459

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2SC5824T100R参数

  • 标准包装1,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 单路
  • 系列-
  • 晶体管类型NPN
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)3A
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)60V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)500mV @ 200mA,2A
  • 电流 - 集电极截止(最大)-
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)180 @ 100mA,2V
  • 功率 - 最大2W
  • 频率 - 转换200MHz
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-243AA
  • 供应商设备封装MPT3
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称2SC5824T100R-ND2SC5824T100RTR