时间：2025/5/8 10:49:38
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211CC3S1120 是一款高性能的贴片式陶瓷电容器，采用多层陶瓷工艺制造。该器件具有低ESL（等效串联电感）和低ESR（等效串联电阻）特性，能够在高频条件下提供稳定的性能表现。其主要用途包括电源滤波、信号耦合、旁路电容以及噪声抑制等场景。
该型号属于C0G介质类型，具有极高的温度稳定性和出色的频率特性，非常适合对稳定性要求较高的应用环境。
型号：211CC3S1120
电容量：1.1nF
额定电压：200V
公差：±5%
工作温度范围：-55℃ 至 +125℃
封装形式：0402英寸
介质材料：C0G/NP0
耐湿性等级：符合MSL1标准
211CC3S1120 使用C0G（NP0）介质材料，因此具备非常优秀的温度系数特性，其温度漂移小于±30ppm/℃，能够确保在宽温范围内保持稳定的电容值。
此外，该电容器还拥有较低的寄生参数，例如ESR和ESL，这使其在高频电路中表现出优异的阻抗特性，从而有效降低信号失真和电源噪声。
由于采用了小型化的0402封装，此器件非常适合用于高密度PCB设计，并且可以显著减少空间占用。
同时，211CC3S1120 符合RoHS环保标准，无铅设计，满足国际电子行业对于绿色制造的要求。
该型号广泛应用于通信设备、消费类电子产品、汽车电子以及工业控制等领域。
典型应用场景包括：
- 高速数字电路中的去耦和滤波
- RF射频模块中的信号耦合与匹配
- 微处理器及DSP电源的稳压旁路
- 工业自动化系统中的噪声抑制
- 汽车电子系统中的高频滤波组件
1206C112J200CT, GRM155R71H112KA01D
