3LP01STLE 时间：2025/9/20 10:30:39 阅读：8

3LP01STLE是一款由ON Semiconductor（安森美）生产的超小型、低功耗的P沟道增强型MOSFET，采用SOT-723封装。该器件专为便携式和电池供电设备中的电源管理与信号开关应用而设计，具有极低的导通电阻和极小的封装尺寸，适用于对空间和功耗有严格要求的高密度电路板设计。3LP01STLE的主要优势在于其超小型化封装和优异的电气性能，使其成为智能手机、可穿戴设备、物联网终端以及其他消费类电子产品中理想的开关元件。该MOSFET能够在低电压条件下实现高效的功率控制，支持逻辑电平驱动，因此可以直接由微控制器或其他低压逻辑电路驱动，无需额外的电平转换电路。此外，该器件符合RoHS环保标准，并具备良好的热稳定性和可靠性，适合在各种严苛的环境条件下长期运行。

参数

类型：P沟道
　　极性：增强型
　　漏源电压（VDS）：-30V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：-100mA
　　脉冲漏极电流（IDM）：-280mA
　　导通电阻（RDS(on)）：最大5.5Ω @ VGS = -10V；最大8Ω @ VGS = -4.5V；最大10Ω @ VGS = -2.5V
　　阈值电压（VGS(th)）：典型值-1V，范围-0.6V至-1.5V
　　输入电容（Ciss）：约22pF
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：SOT-723
　　功率耗散（PD）：200mW

特性

3LP01STLE的核心特性之一是其超低导通电阻与小封装尺寸的结合，这使得它在微型化电子设备中表现出色。该器件在VGS = -10V时的RDS(on)仅为5.5Ω，在VGS = -2.5V时也仅为10Ω，表明其在低电压驱动下仍能保持较低的导通损耗，从而提高系统效率并减少发热。这种特性特别适用于由3.3V或更低电压供电的嵌入式系统，例如使用锂电池供电的智能手表、无线传感器节点和便携式医疗设备。由于其P沟道结构，3LP01STLE在高边开关配置中具有天然优势，可用于负载开关、电源路径控制和电池反向保护等应用场景。
　　另一个关键特性是其极快的开关速度。得益于较小的输入电容（Ciss ≈ 22pF），该MOSFET可以实现快速的栅极充放电过程，从而显著缩短开关延迟时间，提升系统的动态响应能力。这对于需要频繁启停或高速切换的应用（如LED背光控制、音频信号路由或多路复用器）至关重要。同时，快速开关还能减少过渡期间的功率损耗，进一步优化整体能效。
　　3LP01STLE还具备出色的热稳定性与可靠性。其最大结温可达+150°C，确保在高温环境下仍能安全运行。SOT-723封装不仅节省PCB空间，而且具有良好的散热性能，有助于将热量有效传导至外部环境。此外，该器件通过了AEC-Q101汽车级认证，意味着其制造工艺和质量控制达到了车规级标准，即使在工业或汽车电子等严苛环境中也能保持长期稳定的性能表现。

应用

3LP01STLE广泛应用于各类小型化、低功耗的电子设备中，尤其适合用于电源管理模块中的负载开关和电源路径控制。在便携式消费电子产品如智能手机、平板电脑和TWS耳机中，该器件常被用于控制不同功能模块的供电，实现按需上电以延长电池续航时间。在可穿戴设备（如智能手环、健康监测仪）中，3LP01STLE可用于启用或禁用传感器、无线通信模块等外设，配合主控MCU实现精细化的功耗管理。
　　在物联网（IoT）终端设备中，该MOSFET可用于远程唤醒电路或低功耗待机模式下的电源切断机制，帮助设备在非活跃状态下进入深度睡眠，仅保留最小系统供电。此外，3LP01STLE也可用于信号切换应用，例如在多通道模拟前端中作为模拟开关，控制不同传感器信号的通断。
　　在工业自动化和汽车电子领域，该器件适用于小型继电器驱动、LED指示灯控制、电机驱动电路中的辅助开关以及电池管理系统（BMS）中的充放电通路控制。由于其具备AEC-Q101认证，因此也可用于车载信息娱乐系统、车身控制模块等对可靠性要求较高的场景。