时间：2025/12/28 19:25:57
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20KPA36A 是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高电流和高功率应用中，如电源管理、电机控制、逆变器和DC-DC转换器等。该器件采用TO-220封装，具有较低的导通电阻（Rds(on)）和良好的热性能，适用于工业和汽车电子应用。
类型：N沟道MOSFET
漏极电流（ID）：20A
漏源极电压（VDS）：360V
栅源极电压（VGS）：±30V
导通电阻（Rds(on)）：0.25Ω @ VGS = 10V
功耗（PD）：125W
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装：TO-220
20KPA36A MOSFET具备多项优异的电气和热性能。其低导通电阻可显著降低导通损耗，提高系统的整体效率，适用于高频率开关应用。该器件的高漏源极击穿电压（360V）使其能够承受较高的电压应力，确保在高压环境下的稳定运行。
此外，该MOSFET的栅极驱动电压范围较宽（±30V），允许使用多种驱动电路进行控制，提高了设计的灵活性。TO-220封装不仅提供了良好的散热能力，还便于安装在散热片上，适用于高功率密度设计。
该器件的热阻较低，能够在高负载条件下保持较低的工作温度，从而提高可靠性和寿命。20KPA36A还具备良好的短路和过载耐受能力，适用于工业自动化、电源系统和电机控制等对稳定性要求较高的应用场景。
20KPA36A 主要应用于需要高电压和高电流处理能力的电力电子系统中。常见的应用包括工业电源、电机驱动器、DC-DC转换器、UPS不间断电源、逆变器以及汽车电子系统中的高压控制模块。
在电源管理系统中，该MOSFET可用于开关电源（SMPS）中的主开关器件，实现高效的能量转换。在电机控制方面，它可作为H桥电路的一部分，用于控制直流电机或步进电机的方向和速度。
此外，20KPA36A 还可应用于太阳能逆变器、电焊机和工业自动化设备等需要高可靠性和高效率的场景中，其稳定的性能和良好的散热能力使其成为工业级应用的理想选择。
STP20N360FP, IRFPG50, STP25N360A
