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1SV97 发布时间 时间:2025/8/18 5:23:52 查看 阅读:23

1SV97是一款由东芝(Toshiba)制造的N沟道功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),常用于需要高效率和高性能的开关电路中。该器件具有较低的导通电阻,能够在高电流条件下提供较低的功率损耗,因此广泛应用于电源管理、电池供电设备以及DC-DC转换器等领域。

参数

类型:N沟道MOSFET
  最大漏极电流:3A
  最大漏源电压:60V
  导通电阻:200mΩ(最大)
  栅极阈值电压:1.5V ~ 2.5V
  最大功耗:2.5W
  封装类型:SOT-23

特性

1SV97的主要特性包括低导通电阻、高速开关能力以及优异的热稳定性。其低导通电阻特性使其在高电流应用中能够显著降低功率损耗,提高整体效率。此外,该器件的高速开关能力确保了其在高频工作条件下的稳定性能。采用SOT-23封装,使得1SV97体积小巧,适合在空间受限的设计中使用。
  另一项重要特性是其良好的热性能,这得益于优化的封装设计和内部结构,使器件在高负载条件下仍能保持较低的工作温度。这不仅延长了器件的使用寿命,还提高了系统的可靠性。此外,1SV97的栅极阈值电压范围适中,使其能够兼容多种驱动电路,简化了设计和集成过程。

应用

1SV97广泛应用于各种电子设备中,包括电源管理模块、DC-DC转换器、LED驱动器、电池充电器以及负载开关控制电路。由于其高效率和小尺寸特性,该器件特别适合用于便携式设备、工业控制系统以及消费类电子产品中的功率管理需求。此外,它也可用于电机驱动、继电器驱动以及逆变器等应用中,提供可靠的开关性能。

替代型号

Si2302DS, 2N7002, BSS138

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