1SV97 时间：2025/8/18 5:23:52 阅读：32

1SV97是一款由东芝（Toshiba）制造的N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），常用于需要高效率和高性能的开关电路中。该器件具有较低的导通电阻，能够在高电流条件下提供较低的功率损耗，因此广泛应用于电源管理、电池供电设备以及DC-DC转换器等领域。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流：3A
　　最大漏源电压：60V
　　导通电阻：200mΩ（最大）
　　栅极阈值电压：1.5V ~ 2.5V
　　最大功耗：2.5W
　　封装类型：SOT-23

特性

1SV97的主要特性包括低导通电阻、高速开关能力以及优异的热稳定性。其低导通电阻特性使其在高电流应用中能够显著降低功率损耗，提高整体效率。此外，该器件的高速开关能力确保了其在高频工作条件下的稳定性能。采用SOT-23封装，使得1SV97体积小巧，适合在空间受限的设计中使用。
　　另一项重要特性是其良好的热性能，这得益于优化的封装设计和内部结构，使器件在高负载条件下仍能保持较低的工作温度。这不仅延长了器件的使用寿命，还提高了系统的可靠性。此外，1SV97的栅极阈值电压范围适中，使其能够兼容多种驱动电路，简化了设计和集成过程。