类型：P沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：-20V
　　栅源电压（VGS）：±12V
　　连续漏极电流（ID）：-1.1A（@ TA=25°C）
　　脉冲漏极电流（IDM）：-3.3A
　　导通电阻（RDS(on)）：1.1Ω（@ VGS=-4.5V）
　　导通电阻（RDS(on)）：1.3Ω（@ VGS=-2.5V）
　　栅极阈值电压（Vth）：-0.8V ~ -1.4V
　　输入电容（Ciss）：约 270pF（@ VDS=10V）
　　开启延迟时间（td(on)）：约 10ns
　　关断延迟时间（td(off)）：约 15ns
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：CST3（SOT-723）

UPV1V101MGD的核心特性之一是其优化的低导通电阻与小型封装的结合，使其在同类P沟道MOSFET中表现出色。在VGS=-4.5V条件下，RDS(on)典型值仅为1.1Ω，这显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了电源效率。对于便携式设备而言，这一特性至关重要，因为它直接影响电池续航能力和热管理设计。同时，在更低的驱动电压（如-2.5V）下仍能保持1.3Ω的导通电阻，说明该器件具备良好的低压驱动能力，适用于3.3V或1.8V逻辑系统的直接控制，无需电平转换器或专用驱动IC，从而节省PCB面积和物料成本。
　　另一个关键特性是其快速的开关响应能力。得益于较低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss ≈ 270pF），该MOSFET能够在高频开关应用中实现快速开启和关闭，减少开关过程中的能量损耗。这对于需要频繁启停的负载开关应用（例如LED背光控制、模块电源使能）尤为重要。同时，较短的开启延迟时间（td(on) ≈ 10ns）和关断延迟时间（td(off) ≈ 15ns）确保了精确的时序控制，避免了瞬态电流冲击或电压跌落问题。
　　该器件还具备良好的热稳定性和长期可靠性。其最大工作结温可达+150°C，能够在高温环境下稳定运行，适合嵌入在密闭或散热条件有限的设备中。此外，P沟道结构天然适用于高边开关（High-side Switch）配置，在电源路径控制中可以有效防止反向电流流动，提升系统安全性。ROHM对制造工艺的严格控制也保证了器件的一致性和良品率，减少了批量生产中的失效风险。最后，CST3封装不仅体积小巧（典型尺寸约为1.0mm × 1.0mm × 0.4mm），而且具有良好的焊接可靠性和机械强度，支持自动化贴片工艺，适用于大规模量产。

UPV1V101MGD广泛应用于对空间和功耗要求极为严格的便携式电子设备中。一个典型应用场景是作为电池供电系统的负载开关，用于控制不同功能模块的供电通断，例如在智能手机中控制摄像头模组、Wi-Fi模块或传感器单元的上电与断电，从而实现动态电源管理，延长待机时间。在这种应用中，MOSFET的低RDS(on)可最小化压降和发热，而低漏电流则确保在关闭状态下几乎不消耗电池电量。
　　另一个重要用途是在电源多路复用电路中作为理想二极管使用，防止主电源与备用电池之间的反向电流流动。例如，在带有USB充电接口和内部锂电池的设备中，UPV1V101MGD可用于隔离外部电源与电池回路，实现自动切换和防倒灌功能。相比传统肖特基二极管，MOSFET方案具有更低的正向压降，因此效率更高，尤其在大电流条件下优势明显。
　　此外，该器件还可用于电平转换电路，特别是在I2C总线等开漏通信接口中，作为双向电平移位器的一部分，连接不同电压域的设备（如1.8V MCU与3.3V外设）。其P沟道结构配合N沟道MOSFET可构建高效的双向电平转换器，且响应速度快、功耗低。
　　其他潜在应用包括LED驱动电路中的开关元件、MCU GPIO扩展控制、电机驱动中的辅助开关以及各类低功率DC-DC转换器中的同步整流或保护电路。由于其小型封装和高集成度特点，特别适合用于可穿戴设备、TWS耳机、智能手表、IoT传感器节点和医疗监测仪器等紧凑型电子产品。

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　　 "UPV1V101MGT2L",
　　 "UPV1V101MGW",
　　 "DMG2301U",
　　 "AO8803",
　　 "FDML86151"
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