时间：2025/12/26 18:06:49
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1ST165EU2F50I2LG 是一款由 Littelfuse 公司推出的高性能瞬态抑制二极管阵列（TVS Array），专为保护敏感电子元件免受静电放电（ESD）、电气快速瞬变（EFT）以及其他瞬态电压事件的损害而设计。该器件采用先进的半导体工艺制造，具备极低的电容、快速响应时间和高可靠性，适用于高速数据线路和精密模拟接口的过压保护。其封装形式为小型化的 UDFN-10（Ultra Thin Dual Flat No-lead），适合在空间受限的便携式电子产品中使用，例如智能手机、平板电脑、可穿戴设备以及工业通信模块等。
该器件集成了多个双向 TVS 二极管，能够同时提供正负方向的瞬态电压钳位保护，确保信号线在遭受高压脉冲时仍能维持系统稳定运行。1ST165EU2F50I2LG 符合 IEC 国际安全标准，包括 IEC61000-4-2（ESD 抗扰度）和 IEC61000-4-5（浪涌抗扰度），广泛应用于需要高电磁兼容性（EMC）性能的设计场景。此外，其低漏电流特性有助于减少待机功耗，提升整体能效表现，特别适合电池供电设备的应用需求。
型号：1ST165EU2F50I2LG
制造商：Littelfuse
产品类型：TVS 二极管阵列
通道数：4 通道
工作电压（VRWM）：5V
击穿电压（VBR）：6.3V @ 1mA
最大峰值脉冲电流（IPP）：2A
钳位电压（VC）：12V @ 2A
电容典型值（Ct）：0.4pF @ 0V, 1MHz
漏电流（IR）：≤1μA @ 5V
响应时间：<1ps
封装类型：UDFN-10
工作温度范围：-40°C 至 +125°C
符合 RoHS 指令：是
IEC 认证：IEC61000-4-2 (±15kV air, ±8kV contact), IEC61000-4-4 (±40A EFT)
1ST165EU2F50I2LG 的核心特性之一是其超低电容设计，典型值仅为 0.4pF，在高频信号传输路径中几乎不会引入信号失真或衰减，因此非常适合用于 USB 2.0、HDMI、DisplayPort、MIPI、SDIO 等高速差分或单端信号线的 ESD 保护。这种极低的寄生电容确保了信号完整性不受影响，尤其在 GHz 级别的通信链路中至关重要。同时，该器件具备双向保护能力，每个通道均可承受正负极性的瞬态冲击，增强了对意外反接或交流耦合信号路径的适应性。
另一个关键优势是其出色的瞬态吸收能力和稳定的钳位性能。在 8/20μs 浪涌测试条件下，最大峰值脉冲电流可达 2A，钳位电压控制在 12V 以下，有效防止后级 IC 因过压而损坏。结合其亚皮秒级的响应速度，能够在 ESD 事件发生的瞬间迅速导通并将能量泄放到地，从而保障系统的稳定性与安全性。此外，该器件采用了先进的硅钝化工艺，提高了长期工作的可靠性和环境耐受性，即使在高温高湿环境下也能保持稳定的电气性能。
从系统集成角度看，1ST165EU2F50I2LG 采用紧凑型 UDFN-10 封装，尺寸仅为 1.0mm x 1.6mm x 0.5mm，极大节省了 PCB 布局空间，便于实现高密度贴装。其引脚布局经过优化，降低了内部走线长度，进一步减少了寄生电感，提升了高频下的保护效率。器件还具有极低的漏电流（≤1μA），在待机或低功耗模式下几乎不增加系统功耗，满足现代节能电子产品的需求。整体而言，这款 TVS 阵列为高速接口提供了高效、可靠且小型化的过压保护解决方案。
1ST165EU2F50I2LG 主要应用于对信号完整性和电磁兼容性要求较高的消费类电子和工业控制设备中。典型应用场景包括智能手机和平板电脑中的 USB Type-C 接口、耳机插孔、触摸屏控制器连接线以及摄像头模组的数据接口。由于其支持 MIPI 和 SDIO 协议所需的低电容特性，常被用于保护移动设备内部的高速串行总线。此外，在无线通信模块如 Wi-Fi、蓝牙和 GNSS 天线切换电路中，该器件也发挥着重要作用，防止外部静电通过天线端口侵入主芯片。
在工业自动化领域，该 TVS 阵列可用于保护 RS-485、CAN 总线等通信接口免受现场环境中常见的电快速瞬变干扰。医疗电子设备中，如便携式监护仪和诊断仪器，也需要此类高可靠性保护器件来确保信号采集精度和患者安全。另外，在汽车电子信息系统（IVI）和车载信息娱乐系统的辅助接口中，1ST165EU2F50I2LG 可用于防护因人为接触或线束感应带来的 ESD 风险。总之，任何涉及高速数据传输且暴露于人体可接触端口的电子系统，都是该器件的理想应用对象。
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