时间：2025/8/6 11:56:06
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IXFH12N100Q是一款由IXYS公司生产的高功率MOSFET晶体管，主要用于高电压和高电流的应用。该器件具有高耐压能力，最大漏极电压为1000V，漏极电流为12A。该MOSFET采用TO-247封装，适用于需要高效能和高可靠性的电力电子系统中。其设计使其在高频开关应用中表现出色，同时具备较低的导通损耗和开关损耗。
最大漏极电压(Vds)：1000V
最大漏极电流(Id)：12A
最大栅极电压(Vgs)：±20V
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装类型：TO-247
IXFH12N100Q具有多种设计特性，以确保其在各种应用中的高性能表现。首先，该器件采用了先进的平面技术，使其在高电压下具有稳定的性能和较低的导通电阻(Rds(on))。其次，它具有较高的开关速度，使其适用于高频开关电路，从而减小系统的体积和重量。此外，该MOSFET具有较低的栅极电荷(Qg)，有助于减少开关损耗并提高整体效率。热阻较低，使其在高负载条件下仍能保持良好的散热性能。最后，该器件具有较高的抗雪崩击穿能力，可在恶劣条件下提供额外的可靠性。
IXFH12N100Q广泛应用于各种高功率电子系统中，包括电力供应、太阳能逆变器、电机驱动器、焊接设备以及高频电源转换器。由于其高耐压和高电流能力，它特别适合需要高效能、高可靠性和紧凑设计的工业和消费类电源系统。此外，该器件还可用于脉宽调制(PWM)控制器和直流-直流(DC-DC)转换器，以提供高效能的电源管理解决方案。
IXFH12N100P; IXFH12N100T
