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1ST165EU2F50E2VG 发布时间 时间:2025/12/26 18:14:47 查看 阅读:10

1ST165EU2F50E2VG 是一款由 IXYS(现隶属于 Littelfuse)生产的高性能静态感应晶体管(SITh),属于其先进的功率半导体产品线。该器件结合了 MOSFET 和晶闸管的优点,具有高输入阻抗、快速开关能力和优异的高温工作性能。它采用先进的平面技术制造,能够在高电压和大电流条件下实现高效的电力控制。这种器件特别适用于需要高可靠性与高效率的工业电源系统、感应加热设备以及脉冲功率应用中。1ST165EU2F50E2VG 具有优良的热稳定性和抗浪涌能力,适合在严苛的工作环境中长期运行。其封装形式为 TO-247,便于安装在标准散热器上,提供良好的热传导路径,确保器件在高负载条件下的稳定性。此外,该器件还具备低导通电阻和高耐压特性,使其在高频开关电路中表现出色,同时降低了能量损耗和温升问题。
  作为 SITh 器件的一种,1ST165EU2F50E2VG 不同于传统的 IGBT 或 MOSFET,在门极驱动方面更为简单,不需要持续的驱动电流来维持导通状态,一旦触发后即可自持导通直至电流中断。这使得它在某些特定应用场景下比传统器件更具优势,尤其是在需要高 dv/dt 耐受能力和快速关断响应的场合。由于其独特的结构设计,该器件对电磁干扰(EMI)的敏感度较低,并且在高频率操作时仍能保持稳定的性能表现。因此,1ST165EU2F50E2VG 广泛应用于高端工业控制系统、雷达发射机、激光驱动器及医疗成像设备等对可靠性和响应速度要求极高的领域。

参数

型号:1ST165EU2F50E2VG
  类型:静态感应晶体管(SITh)
  最大集电极-发射极电压(VCEO):1650V
  最大集电极电流(IC):50A
  峰值脉冲电流(ICM):100A
  导通电阻(RDS(on)):典型值 80mΩ
  栅极阈值电压(VGE(th)):约 3.5V
  最大工作结温(Tj):150°C
  封装形式:TO-247
  输入电容(Ciss):约 1200pF
  输出电容(Coss):约 300pF
  反向恢复时间(trr):极短,类晶闸管行为
  绝缘等级:增强绝缘型(部分版本)

特性

1ST165EU2F50E2VG 的核心特性之一是其基于静态感应晶体管(SITh)架构的设计,使其兼具 MOSFET 的电压控制特性和晶闸管的低导通压降优势。该器件在导通状态下呈现非常低的饱和压降,显著降低功率损耗,提高整体系统效率。其电压驱动机制简化了驱动电路设计,无需复杂的电流驱动或负偏置关断电路,降低了系统的复杂性和成本。此外,该器件具有极高的 dv/dt 和 di/dt 耐受能力,能够在极端瞬态条件下稳定运行,避免误触发或损坏,适用于高动态应力环境。
  另一个关键特性是其出色的热性能和长期可靠性。得益于高质量的硅材料和先进的封装工艺,1ST165EU2F50E2VG 可在高达 150°C 的结温下持续工作,且老化速率极低。其 TO-247 封装提供了良好的机械强度和热传导性能,支持强制风冷或水冷散热方案,适应多种冷却条件。该器件还具备优秀的抗雪崩能力和浪涌电流承受能力,可在短时过载情况下安全运行而不发生永久性损伤。
  在开关性能方面,1ST165EU2F50E2VG 表现出快速的开启响应,虽然其关断依赖于主回路电流的自然过零或外部换流电路,但在谐振或准谐振拓扑中表现尤为出色。它适用于高频逆变器、串联谐振变换器和感应加热电源等应用,能够实现高效、紧凑的电源设计。此外,该器件对温度变化不敏感,导通特性随温度上升变化较小,避免了热失控风险,提升了并联使用的可行性。
  最后,该器件符合 RoHS 环保标准,适用于全球范围内的工业与医疗设备认证要求。其高绝缘等级版本还可用于需要电气隔离的安全关键系统,进一步扩展了应用边界。这些综合特性使 1ST165EU2F50E2VG 成为高端功率控制领域中的理想选择。

应用

1ST165EU2F50E2VG 主要应用于需要高电压、大电流和高可靠性的电力电子系统中。其典型应用场景包括工业感应加热设备,如金属熔炼炉、淬火机和焊接电源,在这些系统中,器件需在高频、高压环境下长时间稳定运行,而该 SITh 器件的低导通损耗和高 dv/dt 耐受能力正好满足此类需求。此外,它也被广泛用于高频逆变电源和直流-交流转换系统,特别是在串联谐振或并联谐振拓扑结构中,利用其快速开启和可控导通特性实现高效能量传输。
  在脉冲功率系统中,如雷达发射机、激光驱动器和粒子加速器,1ST165EU2F50E2VG 凭借其优异的开关速度和高电流承载能力,能够精确控制高能脉冲的释放,确保系统响应的准确性和重复性。在医疗设备领域,例如 X 光机和 MRI 设备的高压电源模块中,该器件的高绝缘性能和稳定性保障了患者和操作人员的安全。
  此外,该器件还可用于特种电源系统,如静电除尘、臭氧发生器和电镀电源等高压直流电源装置。在这些应用中,1ST165EU2F50E2VG 的耐高压能力和长寿命特性有助于提升系统整体效率和维护周期。由于其对电磁干扰的低敏感性,也适用于电磁环境复杂的工业现场。总之,凡是需要高效率、高稳定性和高耐用性的电力控制场合,1ST165EU2F50E2VG 都是一个极具竞争力的选择。

替代型号

IXGN165U2FD50E

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1ST165EU2F50E2VG参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格3 : ¥395,027.20333托盘
  • 系列Stratix? 10 TX
  • 包装托盘
  • 产品状态在售
  • Digi-Key ProgrammableNot Verified
  • LAB/CLB 数206250
  • 逻辑元件/单元数1650000
  • 总 RAM 位数-
  • I/O 数440
  • 栅极数-
  • 电压 - 供电0.77V ~ 0.97V
  • 安装类型表面贴装型
  • 工作温度0°C ~ 100°C(TJ)
  • 封装/外壳2397-BBGA,FCBGA
  • 供应商器件封装2397-FBGA,FC(50x50)