时间：2025/7/11 20:27:19
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MT03N470J500CT 是一款高性能的 N 沟道增强型功率 MOSFET，主要应用于需要高效能开关和低导通电阻的电路中。该器件采用了先进的半导体制造工艺，具有较低的导通电阻和较高的开关速度，从而提高了整体系统效率。
该芯片适合于高频开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动、负载开关以及电池保护等应用领域。
型号：MT03N470J500CT
类型：N沟道增强型MOSFET
额定电压：470V
额定电流：5A
导通电阻（典型值）：500mΩ
栅极电荷（典型值）：12nC
连续漏极电流：5A
最大功耗：1.8W
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
封装形式：TO-263
MT03N470J500CT 的主要特性包括：
1. 高额定电压（470V），使其能够在高压环境下稳定运行。
2. 低导通电阻（500mΩ 典型值），有助于降低功率损耗并提高效率。
3. 快速开关能力，减少了开关损耗，适用于高频应用。
4. 小巧的 TO-263 封装，节省 PCB 空间，同时提供良好的散热性能。
5. 较宽的工作温度范围（-55℃ 至 +150℃），适应各种恶劣环境条件。
6. 可靠性高，符合工业标准的质量要求。
这些特性使得 MT03N470J500CT 成为许多高功率密度设计的理想选择。
该元器件适用于以下应用场景：
1. 开关电源（SMPS）中的功率开关元件。
2. DC-DC 转换器的主开关管或同步整流管。
3. 电机驱动电路中的功率级控制。
4. 负载开关，用于动态调节电流路径。
5. 电池保护电路，防止过流和短路。
6. 工业自动化设备中的继电器替代方案。
MT03N470J500CT 凭借其出色的电气特性和稳定性，在上述应用中表现出优异的性能。
MT03N470J400CT, IRF540N, FQP17N20
