时间：2025/5/29 20:12:37
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DMN6070SY是一款来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET晶体管，采用DFN3030-8封装形式。该器件主要应用于要求低导通电阻和高效开关性能的场景，如负载切换、电机驱动、电源管理模块等。其优异的电气性能和紧凑的封装设计使其非常适合于便携式电子设备和其他空间受限的应用。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：7.9A
导通电阻：1.4mΩ
栅极电荷：17nC
总电容：250pF
工作结温范围：-55℃至150℃
DMN6070SY具备极低的导通电阻（Rds(on)），能够有效降低功率损耗并提高系统效率。
该器件还具有快速开关性能，这得益于其较低的栅极电荷（Qg）和输出电荷（Qoss）。
此外，DFN3030-8封装提供出色的热性能和电气连接性，同时占用较小的PCB面积。
DMN6070SY还具备较高的雪崩击穿能力和抗静电能力（ESD），从而提高了其在实际应用中的可靠性。
DMN6070SY适用于多种领域，包括但不限于：
1. 便携式电子设备中的负载开关。
2. DC-DC转换器和降压稳压器中的同步整流。
3. 电池保护电路。
4. 消费类电子产品中的电机控制。
5. 工业自动化设备中的信号隔离和功率传输。
DMN6070SYY, DMN6070SYT, BSC014N06NS3
