器件类型：PIN 快速恢复二极管
　　最大重复峰值反向电压（VRRM）：165 V
　　最大直流阻断电压（VR）：165 V
　　平均整流电流（IO）：5.0 A
　　峰值非重复浪涌电流（IFSM）：80 A（单个半正弦波，8.3ms）
　　正向压降典型值（VF）：0.85 V @ 5.0 A, TJ = 25°C
　　最大反向漏电流（IR）：0.5 μA @ 125°C, VR = 165 V
　　反向恢复时间（trr）：35 ns 典型值
　　工作结温范围（TJ）：-55 °C 至 +175 °C
　　存储温度范围（Tstg）：-55 °C 至 +175 °C
　　封装形式：TO-252 (DPAK), 表面贴装
　　热阻（RθJC）：3.0 °C/W 典型值
　　热阻（RθJA）：50 °C/W（依 PCB 设计而定）
　　安装方式：表面贴装
　　引脚数：3（含散热焊盘连接）
　　极性配置：中心阴极为正输出端

1ST165EU2F50E1VG 具备优异的快速恢复特性，其反向恢复时间 trr 典型值仅为 35ns，这使得它在高频开关环境下能够显著减少开关损耗和电磁干扰（EMI），提升整体电源转换效率。该器件采用 PIN 结构设计，通过优化 P+ 区域掺杂浓度与 I 层厚度，实现了低正向压降与快速关断之间的良好平衡。在额定电流 5A 条件下，正向压降 VF 典型值为 0.85V，远低于传统肖特基二极管以外的普通整流管，有助于降低导通损耗并提高系统能效。同时，该器件具有高达 80A 的非重复浪涌电流承受能力，能够在输入端出现瞬态过压或上电冲击时保持稳定运行，增强了系统的鲁棒性。
　　该二极管的工作结温范围宽达 -55°C 至 +175°C，支持极端环境下的长期可靠运行，尤其适用于工业控制、车载电子和户外通信基站等对温度适应性要求高的场合。其 TO-252 封装不仅提供优良的散热路径，还支持自动回流焊工艺，便于大规模生产。器件内部芯片与铜引线框架之间采用先进键合技术，确保电气连接的稳定性与耐久性。此外，低寄生电感和电容的设计使其在高频工作状态下仍能维持良好的动态响应性能。
　　1ST165EU2F50E1VG 符合国际环保标准，不含铅（Pb-free）且为无卤素产品，符合 IEC 61249-2-21 标准，适合用于绿色环保电子产品制造。其反向漏电流在高温下仍保持较低水平（最大 0.5μA @ 125°C），有效防止因漏电引起的功耗上升和热失控风险。综合来看，该器件在速度、效率、可靠性和环保方面均表现出色，是高性能电源设计中的理想选择之一。

1ST165EU2F50E1VG 广泛应用于各类中高功率开关电源系统中，尤其是在需要快速响应和高效率转换的场合。典型应用场景包括：AC-DC 开关模式电源（SMPS）中的输出整流或钳位电路，用于台式计算机电源、服务器电源模块、LED 驱动电源等；在 DC-DC 升压/降压转换器中作为续流二极管使用，可有效减少能量损失并提升动态响应速度；在逆变器和 UPS 不间断电源系统中用于防止反向电流流动，保障主开关器件的安全；也可用于电池充电管理电路、太阳能微逆变器、电机驱动电路中的飞轮二极管功能。由于其表面贴装封装形式，特别适合空间受限但需良好散热性能的紧凑型设计，如通信设备电源板、工业控制器电源单元、网络交换机和路由器内置电源模块等。此外，该器件还可用于高频感应加热装置、电子镇流器以及各类消费类电子产品中的次级侧整流环节。凭借其高浪涌能力和高温稳定性，即使在电网波动频繁或环境温度变化剧烈的应用环境中也能保持稳定工作，展现出卓越的适应性和可靠性。

STTH5R06DPI
　　VS-F50CPH06-M3
　　BAS40-04W