时间：2025/6/26 21:58:02
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TBL130P04-5DL8是一款高压MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高电压、大电流的功率转换应用。该器件采用N沟道技术，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于开关电源、电机驱动和逆变器等场景。
该型号属于东芝（Toshiba）的Advanced Super Junction MOSFET系列，设计上着重于提升效率和降低功耗，能够满足现代电力电子设备对高性能和可靠性的要求。
最大漏源电压：700V
连续漏极电流：13A
导通电阻：450mΩ
栅极电荷：125nC
总电容：260pF
工作温度范围：-55℃至150℃
TBL130P04-5DL8具备以下主要特性：
1. 高耐压能力，可承受高达700V的工作电压，适合高压环境下的应用。
2. 极低的导通电阻（典型值为450mΩ），能够减少功率损耗，提高系统效率。
3. 快速开关性能，具有较低的栅极电荷和输出电荷，有助于降低开关损耗。
4. 良好的热稳定性，在高温条件下仍能保持稳定的电气性能。
5. 符合RoHS标准，环保且支持无铅焊接工艺。
6. 封装形式为TO-247-3L，提供优秀的散热性能。
TBL130P04-5DL8广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）：包括适配器、充电器和工业电源等。
2. 电机驱动：用于家用电器、工业设备和电动车的电机控制。
3. 逆变器：太阳能逆变器和其他类型的能量转换系统。
4. 电磁阀驱动：在工业自动化和汽车电子中用作电磁阀的开关元件。
5. PFC（功率因数校正）电路：用于提升电源系统的功率因数，减少谐波失真。
其高压特性和高效性能使其成为需要高可靠性和稳定性的应用的理想选择。
TBL130P04-5DL
TLP130P04-5DL8
IRFPG50
