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1SG280HU3F50E3VGS1 发布时间 时间:2025/7/19 5:47:37 查看 阅读:16

1SG280HU3F50E3VGS1 是一款由东芝(Toshiba)生产的IGBT(绝缘栅双极型晶体管)模块,专为高功率应用设计。该模块结合了MOSFET的高输入阻抗和BJT的低导通压降特性,适用于需要高效能和高可靠性的电力电子系统。

参数

类型:IGBT模块
  最大集电极-发射极电压(Vce):600 V
  最大集电极电流(Ic):200 A
  工作温度范围:-40°C 至 150°C
  封装类型:模块
  安装方式:螺钉安装
  短路耐受能力:有
  隔离电压:2500 Vrms
  输入电容(Cies):典型值为 3.6 nF

特性

1SG280HU3F50E3VGS1 具有高电流承载能力和低导通压降,从而提高了整体系统效率。其先进的芯片设计和封装技术确保了优异的热性能和长期可靠性。此外,该模块具备短路保护功能,能够在极端工作条件下提供额外的安全保障。模块的绝缘性能优异,可有效防止高压击穿,适用于各种恶劣环境。内置的续流二极管可以有效减少外部元件数量,简化电路设计并提高系统稳定性。
  该模块还具有出色的抗电磁干扰(EMI)能力,适合在高频开关应用中使用。其坚固的封装结构可承受较高的机械应力,并具有良好的耐腐蚀性,适合在工业环境中长期运行。模块的热阻较低,有助于减少散热器的尺寸和成本,提高系统的整体紧凑性。同时,1SG280HU3F50E3VGS1 还具备快速开关能力,可有效降低开关损耗,提升系统的动态响应性能。

应用

1SG280HU3F50E3VGS1 常用于各种高功率工业设备和电力电子系统中,如变频器、伺服驱动器、UPS不间断电源、太阳能逆变器、电动汽车充电设备以及工业自动化控制系统。此外,它也可用于焊接设备、电机控制和电力调节装置等需要高可靠性和高效率的场合。

替代型号

1SG280HU3F50E3VGS1 的替代型号包括:SKM200GB063D(英飞凌)、FF200R12KT4(富士电机)、PM200CL1A060(三菱电机)等,这些型号在参数性能和封装形式上与1SG280HU3F50E3VGS1相近,可根据具体应用需求进行选择。

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