时间：2025/4/25 15:08:05
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1SG280HN2F43E2VGS1 是一款由日本东芝公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用先进的半导体工艺制造，具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能等特点。其封装形式为 TO-263（D2PAK），适合在工业控制、电源管理、电机驱动和其他需要高效功率转换的应用中使用。
该型号的命名规则包含对芯片具体参数的定义，如耐压值、导通电阻等，便于工程师根据实际需求选择合适的版本。
最大漏源电压：500V
连续漏极电流：12A
导通电阻：0.3Ω
栅极阈值电压：2V~4V
功耗：180W
工作温度范围：-55℃~175℃
1SG280HN2F43E2VGS1 具有以下主要特性：
1. 高耐压能力，能够承受高达 500V 的漏源电压，适用于高压电路环境。
2. 低导通电阻设计，仅为 0.3Ω，有助于减少功率损耗并提高系统效率。
3. 快速开关性能，支持高频应用场合。
4. 优异的热稳定性，能够在极端温度条件下可靠运行。
5. 内置保护功能，可有效防止过流和过热损坏。
6. 封装形式紧凑，易于安装和散热设计。
这些特性使得该器件非常适合用于高功率密度的设计场景。
1SG280HN2F43E2VGS1 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的功率开关。
2. 工业设备中的电机驱动和逆变器控制。
3. 太阳能逆变器和储能系统的功率调节。
4. 家用电器中的电磁炉、空调压缩机等大功率负载控制。
5. 电动车充电器和电池管理系统 (BMS) 中的关键组件。
凭借其卓越的性能表现，该 MOSFET 在各类电力电子应用中表现出色。
IRF840, STP12NM50, FQP12N50
