类型：NPN双晶体管阵列
　　晶体管数量：2个
　　集电极-发射极电压（VCEO）：30V
　　集电极电流（IC）：100mA
　　功耗（PD）：200mW
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装形式：SOT-23

LMUN2111LT1H的主要特性包括：
　　1. 高集成度：在一个封装内集成两个独立的NPN晶体管，节省PCB空间并简化设计。
　　2. 低饱和电压：晶体管在导通状态下的VCE（sat）较低，有助于减少功耗并提高效率。
　　3. 快速开关特性：具备较快的开关速度，适合用于高频开关应用。
　　4. 高可靠性：采用先进的硅外延平面工艺制造，确保器件在各种环境条件下稳定运行。
　　5. 高耐压能力：集电极-发射极之间的最大电压可达30V，适用于多种低压控制电路。
　　6. 适用于通用用途：LMUN2111LT1H不仅适用于数字电路中的逻辑电平转换和缓冲应用，也可用于模拟电路中的信号放大和控制。
　　7. 强大的热稳定性：SOT-23封装具备良好的散热性能，能够有效防止过热导致的性能下降。

LMUN2111LT1H的应用包括：
　　1. 数字电路接口：用于将不同电压电平的逻辑信号进行转换，例如将3.3V微控制器信号转换为5V系统兼容信号。
　　2. 开关控制：用于驱动LED、继电器、小型电机等负载，作为电子开关使用。
　　3. 缓冲器设计：作为信号缓冲器，提高信号驱动能力和稳定性。
　　4. 电源管理：用于低功耗系统的电源控制电路中，实现高效的电源切换。
　　5. 工业控制系统：在工业自动化设备中用于传感器信号处理、执行器控制等。
　　6. 通信设备：在通信模块中用于信号放大和电平转换。
　　7. 消费类电子产品：如智能手机、平板电脑、智能穿戴设备中用于低功耗信号处理和控制。

2N3904、BC547、MUN5211、2N4401