类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压(VDS)：60V
　　栅源电压(VGS)：±20V
　　连续漏极电流(ID)：160A（在Tc=25℃）
　　功耗(PD)：200W
　　导通电阻(RDS(on))：最大值4.5mΩ（在VGS=10V时）
　　工作温度范围：-55℃ ~ 150℃
　　封装形式：TO-263（D2PAK）

GN1196-INE3 具有多个显著的电气和热性能优势。首先，其低导通电阻（RDS(on)）确保了在高电流条件下，MOSFET的功率损耗最小化，从而提高了系统的整体效率。其次，该器件采用了TO-263（D2PAK）表面贴装封装，具有良好的热管理能力，能够有效散热，适用于高功率密度设计。
　　此外，GN1196-INE3 具有高雪崩能量耐受能力，使其在开关过程中能够承受瞬态电压冲击，增强了器件的可靠性。该MOSFET还具备高栅极电荷（Qg）稳定性，确保在高频开关应用中保持稳定的性能。
　　该器件的封装设计也优化了PCB布局的便利性，降低了寄生电感的影响，从而减少了开关损耗和电磁干扰（EMI）。其高耐压能力（60V VDS）使它适用于多种中压功率转换应用，例如DC-DC转换器、电机控制器和电池管理系统。

GN1196-INE3 主要应用于需要高效功率转换和管理的系统中。其典型应用包括高功率DC-DC转换器、同步整流器、电机驱动电路、电池充电器、电源管理系统以及工业自动化设备中的功率开关模块。
　　由于其低导通电阻和优异的热性能，该MOSFET也常用于汽车电子系统，例如车载充电器、电动工具和新能源汽车的电池管理系统。此外，它在太阳能逆变器和储能系统中也有广泛应用，以实现高效的能量转换与管理。
　　在通信设备中，GN1196-INE3 被广泛用于电源模块，以提供高效率的电源供应，同时减少热量产生。在服务器和数据中心的电源系统中，该器件也常用于优化能效和提高系统稳定性。

IRF1404ZPBF, SiR142DP, IPB016N06N3GATMA1