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STWA12N120K5 发布时间 时间:2025/7/22 16:03:35 查看 阅读:6

STWA12N120K5 是一款由意法半导体(STMicroelectronics)生产的高电压、高功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),专为高压电源转换和功率管理应用设计。该器件采用先进的技术,具有出色的导通电阻(RDS(on))和高耐压特性,适用于工业电源、开关电源(SMPS)、逆变器以及电动车辆的功率系统等领域。

参数

类型:N沟道MOSFET
  最大漏源电压(VDS):1200V
  最大漏极电流(ID):12A
  导通电阻(RDS(on)):0.65Ω @ VGS = 10V
  栅极阈值电压(VGS(th)):4.5V ~ 6.5V
  最大功耗(PD):50W
  工作温度范围:-55°C ~ +150°C
  封装形式:TO-247

特性

STWA12N120K5 的核心特性之一是其优异的导通性能,在高压应用中仍能保持较低的导通损耗。该器件的RDS(on)为0.65Ω,在VGS为10V时,能够显著减少导通状态下的功率损耗,从而提高系统的整体效率。此外,该MOSFET具有高达1200V的漏源击穿电压(VDS),使其适用于高电压操作环境,同时具备良好的抗雪崩能力,确保在瞬态条件下器件的稳定性。
  另一个重要特性是其热性能优化。该器件采用高热导率封装材料,能够有效地将热量传导至散热器,确保在高负载条件下也能维持稳定的运行温度。此外,STWA12N120K5具有良好的短路耐受能力,能够在短时间内承受较高的电流冲击而不损坏,适用于对可靠性要求较高的工业和汽车应用。
  在驱动方面,该MOSFET的栅极阈值电压范围在4.5V至6.5V之间,适合使用常见的10V或12V驱动电源,确保快速开关动作,减少开关损耗。同时,其封装形式(TO-247)提供了良好的电气隔离和机械强度,适用于高功率密度设计。

应用

STWA12N120K5 主要应用于高压和高功率系统,包括但不限于开关电源(SMPS)、工业逆变器、不间断电源(UPS)、电动车辆充电系统、光伏逆变器以及电机控制装置。在开关电源中,该器件可作为主功率开关,用于实现高效的DC-DC或AC-DC转换。在工业逆变器和UPS系统中,STWA12N120K5的高耐压和低导通电阻特性使其成为理想的功率器件,用于将直流电转换为交流电以驱动电机或供电给负载。
  在新能源领域,如光伏逆变器和电动汽车充电系统,该MOSFET可用于构建高效率的功率转换电路,提升能源转换效率并减少系统发热。此外,该器件也适用于需要高可靠性和高稳定性的电机控制应用,如伺服驱动器和工业自动化设备中的功率开关。

替代型号

STWA12N120K5 的替代型号包括STWA15N120K5、STW15NK120Z、STW12NK120Z、SiHP12N120EFD、IXFN12N120。

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STWA12N120K5参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格1 : ¥102.24000管件
  • 系列MDmesh? K5
  • 包装管件
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)1200 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)12A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)690 毫欧 @ 6A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)5V @ 100μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)44.2 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±30V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)1370 pF @ 100 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)250W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型通孔
  • 供应商器件封装TO-247 长引线
  • 封装/外壳TO-247-3