1N60、2N60 和 4N60 是常见的 N 沟道功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)型号,广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器和各种功率控制电路中。它们的主要区别在于电流容量和封装形式,通常后缀数字越大表示其电流容量越高。这些 MOSFET 具有高输入阻抗、低导通电阻(Rds(on))以及快速开关特性,适合高频和高效能应用。
类型:N 沟道 MOSFET
漏源电压(Vds):600V
漏极电流(Id):1A(1N60)、2A(2N60)、4A(4N60)
导通电阻(Rds(on)):通常在 2.5Ω 到 4Ω 之间(视具体型号)
栅极电压(Vgs):±20V
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
封装形式:TO-92(1N60)、TO-220(2N60、4N60)等
高耐压能力:这些 MOSFET 的漏源击穿电压为 600V,适用于高压开关应用。
低导通电阻:Rds(on) 通常在 2.5Ω 至 4Ω 之间,有助于降低导通损耗,提高效率。
快速开关特性:具备较短的开关时间(开启时间和关闭时间),适合高频开关电源和逆变器应用。
热稳定性良好:采用 TO-220 或类似散热封装,具有良好的热传导性能,适用于中高功率应用。
高可靠性:MOSFET 的结构使其具有较长的寿命和较高的稳定性,尤其在高温环境下仍能保持良好性能。
易于驱动:由于栅极为电压驱动型,所需驱动电流小,适合与数字控制器(如 PWM 控制器)直接连接。
过载能力:能在短时间内承受较大的漏极电流,适用于需要瞬时高功率输出的场合。
开关电源(SMPS):用于 AC/DC 和 DC/DC 转换电路中,作为主开关器件,实现高效的能量转换。
逆变器系统:用于将直流电源转换为交流输出的逆变器中,特别是在太阳能逆变器和UPS系统中。
电机控制:作为电机驱动电路中的开关元件,用于控制直流电机或步进电机的速度和方向。
LED 照明驱动:用于 LED 驱动电源中,实现恒流输出和调光功能。
电池管理系统:用于电池充放电控制电路中,作为隔离和控制开关。
家用电器:如电磁炉、电风扇、洗衣机等家电中用于功率控制和调速。
工业自动化设备:用于PLC、变频器、伺服驱动器等工业控制系统中。
K2645、FQP4N60C、IRF740、2SK2141、2SK2545、STP4NK60Z