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1N5273B 发布时间 时间:2025/8/4 19:13:30 查看 阅读:29

1N5273B 是一款由 Vishay Semiconductors 生产的表面贴装硅整流二极管,属于肖特基势垒二极管(Schottky Barrier Diode)系列。该器件因其低正向压降和快速恢复时间,广泛应用于高频率开关电路、电源整流以及保护电路中。1N5273B 采用 SOD-123 封装,体积小巧,适合高密度 PCB 设计。该二极管适用于多种电子设备,包括开关电源、DC/DC 转换器、电池充电器和汽车电子系统。

参数

最大重复峰值反向电压:40V
  最大平均正向电流:200mA
  最大正向压降:0.45V(在 200mA 时)
  最大反向漏电流:10μA(在 40V 时)
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  存储温度范围:-65°C 至 +150°C

特性

1N5273B 的核心优势在于其采用肖特基势垒技术,显著降低了正向压降,从而提高了能效并减少了热量产生。其正向压降在 200mA 工作电流下仅为 0.45V,远低于传统硅整流二极管的约 1V 压降。该器件的快速恢复时间(通常在纳秒级别)使其适用于高频开关应用,例如在 DC/DC 转换器和开关电源中进行整流。此外,1N5273B 具有较低的反向漏电流(最大 10μA),确保在高温或高压环境下仍能保持良好的稳定性。SOD-123 封装设计不仅节省空间,还具备良好的热性能,支持表面贴装工艺,提高了生产效率。
  该二极管的工作温度范围为 -55°C 至 +150°C,适合在极端温度条件下使用,例如工业控制、汽车电子和户外通信设备。1N5273B 的封装材料符合 RoHS 标准,支持环保制造流程。此外,其可靠性高,适用于需要长期稳定运行的系统,例如不间断电源(UPS)和电池管理系统。

应用

1N5273B 主要用于各种电子电路中的整流、隔离和保护功能。常见的应用包括开关电源中的次级整流、DC/DC 转换器中的同步整流、电池充电器电路、逆变器和电源管理系统。此外,该器件也可用于信号检测、电压钳位和反向极性保护电路。在汽车电子领域,1N5273B 可用于车载充电系统、车身控制模块和传感器接口电路。其小型封装和高可靠性也使其成为便携式电子设备(如智能手机、平板电脑和可穿戴设备)中的理想选择。
  在通信系统中,1N5273B 可用于电源管理模块和射频前端电路中的整流和隔离。由于其低正向压降和快速恢复特性,该器件在提高系统效率和减少能耗方面发挥重要作用。此外,在工业自动化设备中,1N5273B 可用于 PLC(可编程逻辑控制器)和传感器电源模块,确保设备在高温和高湿度环境下稳定运行。

替代型号

1N5273B 的替代型号包括 1N5273-TP、1N5273-HE3-A/H 或其他具有相似电气特性的肖特基二极管,例如 MBD701 或 MBD701A。在选择替代型号时,应确保其最大重复峰值反向电压、正向电流和封装类型与 1N5273B 兼容,并符合具体应用的设计要求。

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1N5273B参数

  • 制造商Fairchild Semiconductor
  • 齐纳电压120 V
  • 电压容差5 %
  • 电压温度系数0.11 % / C
  • 功率耗散500 mW
  • 最大反向漏泄电流0.1 uA
  • 最大齐纳阻抗900 Ohms
  • 最大工作温度+ 200 C
  • 安装风格Through Hole
  • 封装 / 箱体DO-35
  • 封装Bulk
  • 最小工作温度- 65 C