时间：2024/8/20 15:44:30
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该IGBT采用先进的PowerMESH?工艺，在开关性能和低导通状态行为之间实现了极好的权衡。
低导通电压降（VCE（sat））
低Cres/Cies比（无交叉传导敏感性）
短路耐受时间10μs
IGBT与超快续流二极管共封装
针脚数：3
耗散功率：32 W
击穿电压(集电极-发射极)：600 V
反向恢复时间：31 ns
额定功率(Max)：32 W
工作温度(Max)：150℃
工作温度(Min)：-55℃
耗散功率(Max)：32000 mW
安装方式：Through Hole
引脚数：3
封装：TO-220-3
RoHS标准：RoHS Compliant
含铅标准：Lead Free
产品生命周期：Active
包装方式：Tube
