类型：硅二极管
　　极性：单个二极管
　　最大重复反向电压（VRRM）：70V
　　最大正向平均电流（IF(AV)）：200mA
　　峰值脉冲电流（IFSM）：1A
　　最大正向电压降（VF）：1.2V @ 200mA
　　最大反向漏电流（IR）：5μA @ 70V
　　反向恢复时间（trr）：4ns
　　工作结温范围（TJ）：-65°C 至 +175°C
　　存储温度范围（Tstg）：-65°C 至 +175°C
　　封装/外壳：DO-35（玻璃轴向封装）
　　包装形式：TR（卷带包装）
　　制造商：STMicroelectronics

1N459.TR的核心优势在于其卓越的高速开关性能，反向恢复时间仅为4纳秒，这使得它在高频信号处理应用中表现出色。这种快速响应能力源于其优化的PN结结构设计和高质量的硅材料工艺，能够有效减少电荷存储效应，从而加快关断速度，降低开关损耗。该特性对于高频整流、脉冲电路和数字逻辑门中的信号整形至关重要。在射频和通信系统中，该二极管可用于检波和混频操作，确保信号传输的准确性和完整性。
　　另一个显著特点是其高耐压能力，最大重复反向电压可达70V，使其能够在中等电压环境下可靠运行，避免因瞬态过压而导致击穿。同时，尽管其额定正向电流为200mA，但能承受高达1A的峰值脉冲电流，这一特性增强了其在瞬态负载或浪涌条件下的鲁棒性，适用于存在突发大电流的应用场景。器件的工作结温范围宽达-65°C至+175°C，展现了出色的热稳定性，可在极端温度条件下保持性能一致性，适用于汽车电子、工业控制等严苛环境。
　　DO-35封装不仅体积小巧，便于布局布线，而且具有良好的散热性能和机械强度。玻璃封装提供了优异的绝缘性和气密性，有助于提升长期可靠性。此外，该器件符合RoHS指令要求，不含铅、镉等有害物质，支持环保制造流程，并兼容现代回流焊工艺。1N459.TR还具备低正向导通压降（典型值约1V），有助于提高能效并减少发热。综合来看，该二极管在速度、耐压、温度适应性和环保合规性方面实现了良好平衡，是一款高性能、高性价比的通用型高速开关二极管。

1N459.TR被广泛应用于多种电子系统中，尤其适合需要快速响应和高频率操作的场合。在通信设备中，它常用于射频信号的检波、调制与解调电路，以及作为高频整流元件，确保信号链路的完整性与稳定性。在数字逻辑电路中，该二极管可用于信号箝位和电平移位，防止输入信号超出安全范围而损坏后续集成电路。此外，在电源管理单元中，它可以作为续流二极管或反接保护元件，抑制感性负载产生的反电动势，保护开关器件如晶体管或MOSFET。
　　在消费类电子产品中，如电视、音响设备和家用电器控制板中，1N459.TR用于信号隔离和噪声抑制，提升系统的抗干扰能力。工业自动化系统中，该器件可用于传感器接口电路和PLC输入模块，实现对外部信号的快速响应与处理。汽车电子领域也常见其身影，例如在车身控制模块、车载娱乐系统和照明驱动电路中，发挥其高可靠性和宽温工作的优势。此外，由于其小型化封装和自动化装配兼容性，1N459.TR非常适合表面贴装技术（SMT）生产线，有利于提高制造效率和产品一致性。无论是原型开发还是批量生产，该二极管都展现出良好的通用性和可维护性，是工程师在设计中常用的标准化元器件之一。

1N4148W
　　1N4591
　　BAS16
　　BAV99