GA0402Y681MXBAP31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,主要应用于高效率开关电源、DC-DC转换器和电机驱动等场景。该芯片采用先进的制造工艺,具有低导通电阻、快速开关特性和出色的热性能。
其封装形式为 BAP31G,适合表面贴装技术(SMT),便于大规模自动化生产。这款芯片能够在较宽的工作电压范围内保持稳定的性能,同时具备良好的电磁兼容性(EMC)和抗干扰能力。
类型:N沟道增强型 MOSFET
最大漏源电压(Vds):60V
最大栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):90A
导通电阻(Rds(on)):1.5mΩ
总栅极电荷(Qg):75nC
输入电容(Ciss):3800pF
输出电容(Coss):95pF
反向传输电容(Crss):85pF
工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
GA0402Y681MXBAP31G 具有以下显著特性:
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),有助于降低传导损耗,提高整体系统效率。
2. 快速的开关速度,支持高频应用,减少开关损耗。
3. 高额定电流能力,能够满足大功率负载的需求。
4. 优异的热性能,确保在高温环境下长期稳定运行。
5. 小型化封装设计,节省PCB空间,便于模块化设计。
6. 符合 RoHS 标准,环保无铅材料。
7. 内置保护功能,如过温保护和短路保护,增强器件的可靠性。
该芯片广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)中的主开关管或同步整流管。
2. DC-DC 转换器,包括降压、升压及升降压拓扑结构。
3. 电机驱动电路,用于控制直流无刷电机(BLDC)或步进电机。
4. 汽车电子系统,例如电动助力转向(EPS)、电池管理系统(BMS)和车载充电器(OBC)。
5. 工业自动化设备,如变频器、伺服驱动器和不间断电源(UPS)。
6. 太阳能逆变器和其他可再生能源发电系统。
IRF3205, FDP5800, STP90NE06L