STW25NM60N 时间：2025/7/23 20:58:10 阅读：9

STW25NM60N是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产的高电压N沟道增强型功率MOSFET。该器件设计用于高功率开关应用，具备高耐压和低导通电阻的特性，适用于诸如电源转换、电机控制、逆变器以及工业自动化设备等场景。该MOSFET采用TO-247封装，具备良好的热性能和机械稳定性，适合在高温环境下运行。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电压（VDSS）：600V
　　最大漏极电流（ID）：25A
　　导通电阻（RDS(on)）：0.22Ω
　　栅极电压（VGS）：±20V
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装形式：TO-247

特性

STW25NM60N具有多个关键特性，使其在高性能功率应用中表现优异。首先，其600V的高耐压能力使其适用于中高压电源转换系统，例如AC/DC和DC/DC转换器。其次，该MOSFET的导通电阻仅为0.22Ω，有助于降低导通损耗，提高系统效率。此外，器件的25A最大漏极电流能力支持其在大功率负载下稳定运行。
　　该器件采用先进的平面条形技术制造，确保了良好的热稳定性和电流处理能力。其TO-247封装不仅提供了优良的散热性能，还便于安装在散热片上，从而进一步提升散热效率。此外，STW25NM60N具备快速开关特性，适合高频开关应用，有助于减小外围电路的体积和重量。
　　从可靠性角度看，该MOSFET具有较高的抗雪崩能力，能够承受瞬态过电压和高能脉冲，提升系统的稳定性与安全性。同时，其±20V的栅极电压耐受能力允许使用较高的驱动电压，从而进一步优化开关性能。这些特性使得STW25NM60N在电源管理和功率控制领域成为一款非常可靠的选择。

应用

STW25NM60N广泛应用于多种高功率电子系统中。其主要应用包括开关电源（SMPS）、DC/AC逆变器、电动机控制、UPS（不间断电源）、工业自动化设备以及功率因数校正（PFC）电路等。此外，该MOSFET也常用于光伏逆变器和电焊机等新能源和工业设备中。由于其具备高耐压、低导通电阻和良好热性能，因此在需要高效能、高稳定性的功率系统中表现出色。例如，在开关电源设计中，STW25NM60N可以作为主开关器件，实现高效的能量转换；在逆变器系统中，该器件可用于高频开关，提高系统响应速度并减小整体尺寸。其优异的抗雪崩能力和高可靠性也使其适用于车载电子系统和工业控制设备。