时间：2025/9/2 7:07:37
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HY5DU281622AT-6 是由现代（Hyundai，现为SK Hynix）生产的一款DRAM（动态随机存取存储器）芯片。该芯片属于异步DRAM类型，容量为16MB（兆位），组织形式为256K x 64位。该芯片通常用于需要中等容量存储器的嵌入式系统、工业控制设备和老旧计算机系统中。其封装形式为TSOP（Thin Small Outline Package），适用于表面贴装技术（SMT）。
容量：16MB
组织结构：256K x 64位
封装类型：TSOP
电源电压：3.3V
访问时间：6ns
工作温度范围：工业级（-40°C至+85°C）
数据宽度：64位
引脚数：54
最大工作频率：约166MHz（基于访问时间）
HY5DU281622AT-6 提供了高速的数据访问能力，访问时间为6ns，适用于对性能有一定要求的系统。其3.3V电源设计使其在功耗和稳定性之间取得良好平衡，适合工业级应用。芯片采用TSOP封装，有助于减少PCB空间占用，同时便于自动化生产和焊接。
该DRAM芯片为异步类型，意味着其操作不依赖于系统时钟，而是通过地址和控制信号的异步切换来完成数据的读写。这种设计简化了系统时序控制，降低了设计复杂度，适用于多种传统和工业应用。
此外，该芯片支持标准的DRAM接口，便于集成到各种主板和嵌入式系统中。其宽工作温度范围（-40°C至+85°C）也使其适用于较为恶劣的工业环境。
HY5DU281622AT-6 主要用于需要中等容量高速存储的系统，如老式计算机主板、嵌入式控制系统、工业控制器、通信设备以及需要大容量缓存的外围设备。由于其异步接口和稳定性能，它也适用于需要兼容性设计或长期稳定的工业应用场合。
IS42S16400J-6TL, CY7C1361BV-5, MT48LC16M16A2B4-6A
