HY5DU281622AT-6 是由现代(Hyundai,现为SK Hynix)生产的一款DRAM(动态随机存取存储器)芯片。该芯片属于异步DRAM类型,容量为16MB(兆位),组织形式为256K x 64位。该芯片通常用于需要中等容量存储器的嵌入式系统、工业控制设备和老旧计算机系统中。其封装形式为TSOP(Thin Small Outline Package),适用于表面贴装技术(SMT)。
容量:16MB
组织结构:256K x 64位
封装类型:TSOP
电源电压:3.3V
访问时间:6ns
工作温度范围:工业级(-40°C至+85°C)
数据宽度:64位
引脚数:54
最大工作频率:约166MHz(基于访问时间)
HY5DU281622AT-6 提供了高速的数据访问能力,访问时间为6ns,适用于对性能有一定要求的系统。其3.3V电源设计使其在功耗和稳定性之间取得良好平衡,适合工业级应用。芯片采用TSOP封装,有助于减少PCB空间占用,同时便于自动化生产和焊接。
该DRAM芯片为异步类型,意味着其操作不依赖于系统时钟,而是通过地址和控制信号的异步切换来完成数据的读写。这种设计简化了系统时序控制,降低了设计复杂度,适用于多种传统和工业应用。
此外,该芯片支持标准的DRAM接口,便于集成到各种主板和嵌入式系统中。其宽工作温度范围(-40°C至+85°C)也使其适用于较为恶劣的工业环境。
HY5DU281622AT-6 主要用于需要中等容量高速存储的系统,如老式计算机主板、嵌入式控制系统、工业控制器、通信设备以及需要大容量缓存的外围设备。由于其异步接口和稳定性能,它也适用于需要兼容性设计或长期稳定的工业应用场合。
IS42S16400J-6TL, CY7C1361BV-5, MT48LC16M16A2B4-6A