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HM51W16405BLTS6 发布时间 时间:2025/9/6 13:56:33 查看 阅读:4

HM51W16405BLTS6 是一款由Hynix(现为SK Hynix)生产的16兆位(16M)静态随机存取存储器(SRAM)芯片,采用异步设计,适用于需要高速数据存储和快速访问的应用场景。该芯片采用低功耗设计,支持工业级温度范围,适用于工业控制、网络设备、通信设备和嵌入式系统等领域。HM51W16405BLTS6采用TSOP(薄型小外形封装)封装形式,便于在高密度电路板上安装。

参数

容量:16Mbit
  组织结构:1M x 16
  电源电压:3.3V
  访问时间:5.4ns
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  封装类型:TSOP
  引脚数:54
  最大工作频率:166MHz
  输入/输出电平:CMOS
  数据保持电压:2V
  封装尺寸:54-TSOP

特性

HM51W16405BLTS6是一款高性能异步SRAM芯片,具备快速访问时间和低功耗特性。其16Mbit的存储容量可满足中高端嵌入式系统和工业控制设备的需求。该芯片的访问时间仅为5.4ns,确保在高速系统中能够提供稳定的性能。电源电压为3.3V,符合现代低功耗设计标准,并且具备数据保持模式,可在电源电压下降至2V时保持数据不丢失。
  该芯片支持工业级温度范围(-40°C至+85°C),适合在恶劣环境中使用。TSOP封装形式不仅减小了封装尺寸,还提高了封装的散热性能,有利于在高密度电路板上进行布局。此外,该SRAM芯片具备高可靠性和长使用寿命,适用于需要长时间稳定运行的应用场景。

应用

HM51W16405BLTS6广泛应用于工业控制设备、通信基础设施、网络设备、测试设备、嵌入式系统、自动化设备和医疗电子设备等场景。其高速存取能力和低功耗特性使其非常适合用作缓存、帧缓冲器、临时数据存储等用途。在嵌入式系统中,该芯片常用于存储关键的运行时数据或程序代码,以提高系统响应速度和运行效率。由于其宽温工作范围,它也常用于户外或工业环境中的设备。

替代型号

[
   "CY62167VLLBLL-S70B",
   "IS61LV10248ALLB4-6T",
   "A2B51W16405BLLTS6"
  ]

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