类型：DRAM
　　子类型：同步动态RAM（SDRAM）
　　存储容量：256MB
　　组织结构：16M x 16位
　　供电电压：2.3V至3.6V
　　工作温度范围：工业级（-40°C至+85°C）
　　封装类型：TSOP（薄型小外形封装）
　　引脚数量：54
　　数据传输速率：166MHz
　　访问时间：5.4ns
　　时钟频率：166MHz
　　刷新周期：64ms
　　数据输出类型：三态缓冲输出
　　

25TLV1500M16X16.5具备高性能和低功耗的特点，适用于多种复杂系统。其同步动态RAM架构允许与系统时钟同步进行数据传输，从而提高了整体系统效率。该芯片支持自动刷新和自刷新模式，可以在不依赖外部控制器的情况下保持数据完整性，降低功耗。此外，它还具备突发模式操作，允许连续读取或写入多个存储单元，进一步提升了数据传输速度。该芯片的工业级温度范围使其能够在恶劣环境下稳定运行，并且其TSOP封装形式提供了良好的散热性能和机械稳定性。
　　在可靠性方面，25TLV1500M16X16.5采用了先进的CMOS制造工艺，确保了长期稳定性和耐用性。此外，该芯片具备较高的抗干扰能力，适合在电磁环境复杂的工业应用中使用。其低电压设计不仅有助于节能，还减少了热量产生，延长了设备的使用寿命。

该芯片广泛应用于需要高性能存储解决方案的设备，包括工业计算机、网络路由器和交换机、通信基站、嵌入式控制系统、医疗成像设备以及测试和测量仪器。由于其低功耗特性和工业级温度适应性，25TLV1500M16X16.5也非常适合用于环境监测系统、自动化生产线控制、车载电子系统以及高端消费电子产品。

IS42S16160G-6T，CY7C1391KV18-667BZXC，IDT71V416S161BHI6B