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CXK5816M-12L 发布时间 时间:2025/8/18 21:45:55 查看 阅读:19

CXK5816M-12L是一款由Cypress Semiconductor(现为Infineon Technologies的一部分)制造的异步静态随机存取存储器(SRAM)芯片。这款芯片属于高速SRAM系列,适用于需要快速数据访问的应用场景。CXK5816M-12L具有16位的数据总线宽度,存储容量为16Mbit(2MB),存取时间仅为12ns,适用于高性能嵌入式系统和工业控制设备。

参数

容量:16Mbit
  组织方式:x16
  存取时间:12ns
  工作电压:3.3V
  封装类型:TSOP
  温度范围:工业级(-40°C至+85°C)
  接口类型:并行接口
  最大工作频率:约83MHz(基于12ns存取时间)

特性

CXK5816M-12L SRAM芯片具备高速存取能力,存取时间仅为12ns,使其适用于需要快速数据读写的应用。其工作电压为3.3V,符合现代低功耗设计的要求,同时保持了与5V逻辑电平的兼容性,便于集成到现有系统中。该芯片的封装形式为TSOP(薄型小外形封装),体积小且适合表面贴装工艺,适合高密度PCB设计。此外,CXK5816M-12L支持工业级温度范围(-40°C至+85°C),确保在严苛环境下的稳定运行。
  Cypress CXK5816M-12L的可靠性较高,支持无限次读写操作,无寿命限制,非常适合缓存、临时数据存储和高速缓冲应用。其16位数据总线宽度可提供更高的数据吞吐量,减少处理器等待时间,提高系统整体性能。该芯片还具有较低的待机电流,有助于在低功耗模式下节省能源。

应用

CXK5816M-12L SRAM芯片广泛应用于需要高速数据访问的嵌入式系统,如工业控制器、通信设备、网络路由器、测试仪器和医疗设备。此外,该芯片也可用于高速缓存、帧缓冲器、数据采集系统和实时控制系统等场景,确保数据的快速读取和写入。由于其工业级温度范围和高可靠性,CXK5816M-12L特别适合在恶劣环境下运行的设备中使用。

替代型号

CY62167VLL-12ZXC, ISSI IS62WV1616EBLL-12BLLI

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