类型：硅高速开关二极管
　　封装形式：SOD-123
　　最大重复反向电压（VRRM）：100V
　　最大直流阻断电压（VR）：100V
　　最大正向平均电流（IF(AV)）：300mA
　　峰值脉冲电流（IFSM）：500mA
　　最大正向电压（VF）：1.0V @ 10mA
　　最大反向漏电流（IR）：5μA @ 100V
　　反向恢复时间（trr）：4ns @ IF=10mA, IR=1mA, RL=100Ω
　　工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围（TSTG）：-55°C 至 +150°C

1N4448HLP具备出色的高速开关能力，其典型反向恢复时间仅为4ns，这使得它非常适合用于高频信号处理和快速切换应用。在高频整流、数字逻辑电路隔离、钳位电路以及I/O端口保护等场景下，能够有效减少开关损耗并提升系统响应速度。该器件采用先进的硅外延平面技术，确保了良好的载流子寿命控制和一致的开关特性，在不同负载条件下均能维持稳定性能。此外，由于其低正向导通压降（通常低于1.0V），在小电流信号路径中可减少功耗并降低热积累。
　　该二极管的SOD-123封装不仅体积小巧（约2.7mm × 1.8mm × 1.1mm），还具备良好的散热性能和机械强度，适用于回流焊和波峰焊工艺。这种封装形式有助于提高PCB上的元件密度，同时满足现代电子产品对轻薄化和小型化的需求。1N4448HLP具有高达100V的反向耐压能力，使其在多种电源轨环境中都能安全运行，例如3.3V、5V甚至12V逻辑系统中均可作为保护或隔离元件使用。
　　在环境适应性方面，1N4448HLP支持宽温工作范围（-55°C至+150°C），可在恶劣温度条件下保持可靠性能，因此也被广泛应用于汽车电子和工业控制系统中。其低漏电流特性（最大5μA @ 100V）保证了在高阻抗电路中的信号完整性，避免因暗电流引起的误触发或功耗增加。整体而言，1N4448HLP以其高速、小型、可靠的特点成为现代电子设计中不可或缺的基础元器件之一。

1N4448HLP常用于各类需要高速开关响应的电子电路中，典型应用包括数字逻辑电路中的信号隔离与整形、高频整流电路、续流二极管（flyback diode）用于继电器或电感负载的反电动势抑制、I/O端口的静电放电（ESD）和过压保护、以及各类通信接口的瞬态电压抑制。在便携式消费类电子产品如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中，该器件因其小型化封装和低功耗特性而被广泛采用。
　　在电源管理单元中，1N4448HLP可用于实现自动切换电路，例如主辅电源之间的无缝切换或电池充电路径的隔离控制。此外，它也常见于模拟开关、采样保持电路和多路复用器中，作为防止反向电流流动的关键组件。在汽车电子领域，该二极管可用于车载信息娱乐系统、传感器接口电路和车身控制模块中的信号调理部分。
　　由于其快速的反向恢复时间和较低的结电容，1N4448HLP还可用于射频（RF）检波电路和高频解调应用。在工业自动化设备中，该器件常用于PLC输入输出模块的信号隔离与保护，确保控制系统对外部干扰具有较强的抗扰能力。总之，凡是需要快速响应、小尺寸封装和高可靠性的二极管应用场景，1N4448HLP都是一个理想的选择。

1N4448WS
　　1N4449
　　BAS16
　　BAS70
　　LL4148