类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：6A
　　最大漏-源极电压（VDS）：900V
　　导通电阻（RDS(on)）：典型值2.5Ω @ VGS = 10V
　　栅极电荷（Qg）：典型值27nC
　　功率耗散（PD）：125W
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　封装形式：TO-220AB

IXFH6N90A 的主要特性之一是其高耐压能力，漏-源极电压（VDS）可达900V，使其适用于高电压开关应用。该器件采用先进的平面MOSFET工艺，具备较低的导通电阻（RDS(on)），在VGS为10V时典型值为2.5Ω，有助于减少导通损耗，提高系统效率。
　　该MOSFET的栅极电荷（Qg）为27nC，具有较快的开关速度，适用于高频开关应用。其TO-220AB封装形式具备良好的散热性能，适用于中高功率应用场合。此外，IXFH6N90A 的最大漏极电流为6A，在高负载条件下仍能保持稳定运行。
　　在可靠性方面，该器件具有宽工作温度范围（-55°C 至 +175°C），适用于工业级和恶劣环境下的应用。其功率耗散为125W，能够在高功耗条件下维持较长时间的稳定工作，适用于需要长时间运行的工业电源系统。

IXFH6N90A 主要用于各类高电压、中功率的电源转换系统中。例如，在DC-DC转换器中，该器件可以作为主开关元件，实现高效的能量转换；在电机控制电路中，IXFH6N90A 可用于PWM调速系统，提供稳定的功率输出。
　　此外，该MOSFET常用于工业电源管理设备，如UPS（不间断电源）、工业变频器以及照明控制系统。在太阳能逆变器或风能转换系统中，IXFH6N90A 也可作为关键的开关元件，实现高效的能量转换与控制。
　　由于其高耐压和良好的热性能，该器件也广泛应用于高压放电灯镇流器、医疗设备电源以及高功率LED驱动系统。在消费类电子产品中，如高功率充电器、适配器等，IXFH6N90A 同样能够胜任高频开关任务。

IXFH6N90Q、IRF840、IXFH6N80、FQP9N90C