1MBI200S120 是一款由富士电机(Fuji Electric)生产的IGBT(绝缘栅双极型晶体管)模块,广泛用于高功率电子应用中。这款模块集成了IGBT芯片和反并联二极管,具有高效率、高可靠性和低导通压降的特点,适用于电机驱动、变频器、逆变器和工业电源等场景。
额定集电极电流:200A
额定集射电压:1200V
短路耐受能力:10μs @ 150°C
导通压降:约2.1V(典型值)
工作温度范围:-40°C 至 +150°C
封装形式:单管模块(Single)
绝缘等级:2500V AC(1分钟)
1MBI200S120 IGBT模块具有多项先进特性,使其在高功率应用中表现出色。首先,该模块采用了先进的沟槽栅(Trench Gate)结构和精细工艺,有效降低了导通压降和开关损耗,从而提高了整体效率。
其次,该模块内置反并联二极管,能够有效实现能量回馈和续流功能,适用于PWM逆变器和电机控制电路。其短路耐受能力可达10微秒,增强了在异常工况下的可靠性。
在热管理方面,1MBI200S120采用了高导热的陶瓷基板(DCB),有效提升了散热性能,确保在高负载下稳定运行。此外,其封装设计符合工业级标准,具备良好的绝缘性能和机械强度,适用于各种严苛环境。
此外,该模块的驱动电路兼容性较好,能够与常见的IGBT驱动IC配合使用,简化了外围电路设计,提高了系统的集成度和稳定性。
1MBI200S120广泛应用于多种高功率电子系统中,包括工业变频器、伺服驱动器、UPS不间断电源、太阳能逆变器以及电动车电机控制器等。其高电流承载能力和优异的热稳定性使其特别适用于需要高效能和高可靠性的场合。在电机控制领域,该模块可用于实现高效的矢量控制和直接转矩控制策略,提升电机效率和响应速度。在新能源领域,如光伏逆变器和储能系统中,该模块能够有效提升能量转换效率,并确保长期运行的稳定性。
2MBI200S120、AIG200TS120、CM200DY-12H