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NGTB03N60R2DT4G 发布时间 时间:2025/5/23 21:01:48 查看 阅读:13

NGTB03N60R2DT4G 是一款由 Nexperia(原 Philips 半导体)生产的 N 沟道增强型 MOSFET 芯片。该芯片设计用于高效率开关应用,广泛应用于电源管理、电机驱动、逆变器和其他工业电子设备中。
  该型号具有低导通电阻和快速开关特性,能够显著降低功率损耗并提高系统效率。

参数

类型:N沟道 MOSFET
  最大漏源电压 VDS:600V
  最大栅源电压 VGS:±20V
  连续漏极电流 ID:3A
  脉冲漏极电流 IXP:18A
  导通电阻 RDS(on):4.5Ω(在 VGS=10V 时)
  总功耗 PD:260W
  结温范围 Tj:-55°C 至 +150°C
  封装形式:TO-252 (DPAK)

特性

这款 MOSFET 的主要特点包括:
  1. 高耐压能力:支持高达 600V 的漏源电压,适用于高压环境。
  2. 低导通电阻:在典型工作条件下,导通电阻仅为 4.5Ω,从而减少了导通损耗。
  3. 快速开关速度:具备较低的输入和输出电容,确保快速开关性能。
  4. 高可靠性:经过严格的质量测试,确保在恶劣环境下也能稳定运行。
  5. 小型化封装:采用 TO-252 封装,节省电路板空间,适合紧凑型设计。

应用

NGTB03N60R2DT4G 主要应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS):
   - 离线式开关电源
   - DC-DC 转换器
  2. 电机驱动:
   - 步进电机控制器
   - 无刷直流电机控制
  3. 工业电子:
   - 逆变器
   - 可编程逻辑控制器(PLC)
  4. 家用电器:
   - 洗衣机、空调等家电中的电机控制模块
  5. 其他需要高效功率切换的应用场景。

替代型号

NTBG03N60R2DT4G, PSMN032-60YSK

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NGTB03N60R2DT4G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态停产
  • IGBT 类型-
  • 电压 - 集射极击穿(最大值)600 V
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值)9 A
  • 电流 - 集电极脉冲 (Icm)12 A
  • 不同?Vge、Ic 时?Vce(on)(最大值)2.1V @ 15V,3A
  • 功率 - 最大值49 W
  • 开关能量50μJ(开),27μJ(关)
  • 输入类型标准
  • 栅极电荷17 nC
  • 25°C 时 Td(开/关)值27ns/59ns
  • 测试条件300V,3A,30 欧姆,15V
  • 反向恢复时间 (trr)65 ns
  • 工作温度175°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
  • 供应商器件封装DPAK