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BSS139H6327XTSA1 发布时间 时间:2025/5/13 16:47:36 查看 阅读:3

BSS139是一款N沟道增强型小信号MOSFET晶体管,常用于开关和负载驱动等应用。其封装形式为SOT-23,具有低漏电流、高开关速度的特点。该型号的后缀'H6327XTSA1'通常与制造商的内部批次或工艺改进相关,不影响主要性能参数。

参数

最大漏源电压:40V
  最大栅源电压:±20V
  最大漏极电流:0.4A
  导通电阻:2.5Ω
  总功耗:400mW
  工作温度范围:-55℃至150℃

特性

BSS139H6327XTSA1具有低漏电流,在关断状态下表现出优异的性能,适用于低功耗应用。同时,它的栅极阈值电压较低,便于通过低电压逻辑电路进行驱动。此外,由于采用SOT-23小型封装,非常适合空间受限的设计场景。
  该器件具备较高的开关速度,能够满足高频电路的需求,并且在高温环境下仍能保持稳定的工作状态。

应用

BSS139H6327XTSA1广泛应用于各种电子设备中,包括但不限于消费类电子产品、通信设备及工业控制领域。典型应用场景包括开关电源中的开关元件、音频电路中的静音开关、电池保护电路中的负载开关以及LED驱动电路中的控制元件等。
  它还适用于需要快速切换和低功耗特性的便携式设备,如智能手机、平板电脑和可穿戴设备。

替代型号

BSS138, 2N7000, BSS84

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BSS139H6327XTSA1参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格1 : ¥4.13000剪切带(CT)3,000 : ¥1.47240卷带(TR)
  • 系列SIPMOS?
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)250 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)100mA(Ta)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)0V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)14 欧姆 @ 100μA,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)1V @ 56μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)3.5 nC @ 5 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)76 pF @ 25 V
  • FET 功能耗尽模式
  • 功率耗散(最大值)360mW(Ta)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装PG-SOT23
  • 封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3