时间：2025/5/28 21:18:41
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1EDI30I12MHXUMA1 是一款基于碳化硅 (SiC) 技术的 MOSFET 功率晶体管，由 Infineon Technologies 生产。该器件采用 TO-247 封装形式，广泛应用于高效率电源转换、电机驱动和工业逆变器等场景。
由于其优异的开关特性和耐高压性能，1EDI30I12MHXUMA1 成为现代功率电子设计中的热门选择，特别适合需要高频工作的场合。
额定电压：1200 V
额定电流：30 A
导通电阻：6.5 mΩ
最大工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装类型：TO-247
栅极电荷：90 nC
反向恢复时间：80 ns
1EDI30I12MHXUMA1 具有低导通电阻和快速开关速度，能够显著降低传导损耗和开关损耗。
其采用的碳化硅技术使得该器件在高频应用中表现出色，同时具备更高的热稳定性和可靠性。
此外，该器件还具有较低的栅极电荷和反向恢复电荷，进一步优化了整体系统效率。
在实际使用中，1EDI30I12MHXUMA1 能够承受高达 1200V 的阻断电压，并能在较宽的工作温度范围内保持稳定性能。
1EDI30I12MHXUMA1 主要应用于高效率功率转换场景，例如太阳能逆变器、不间断电源 (UPS) 和电动汽车充电设备。
此外，它也常用于工业电机驱动和变频器中，以实现更精确的控制和更高的能效。
由于其高频性能，该器件还适用于硬开关和软开关拓扑结构，如 LLC 谐振转换器和 PFC（功率因数校正）电路。
1EDI30I12M2H, 1EDI20I12MHXUMA1
