1DI300MP-140 时间：2025/12/29 17:06:46 阅读：12

1DI300MP-140 是一款由 Diodes 公司（Diodes Incorporated）制造的高频、高功率双极晶体管（Bipolar Junction Transistor, BJT），专门用于射频（RF）和微波功率放大应用。这款晶体管具有高增益、高输出功率能力和良好的热稳定性，适用于无线通信基础设施、广播设备和工业射频系统等领域。1DI300MP-140 是一款 NPN 型晶体管，能够在高频条件下提供出色的性能，适用于 UHF 和 L 波段操作。

参数

类型：NPN 双极晶体管
　　最大集电极电流：300 A
　　最大集电极-发射极电压：140 V
　　最大耗散功率：1500 W
　　频率范围：高达 1 GHz
　　输出功率：在1 GHz下可达 300 W
　　增益：约 12 dB（典型值）
　　封装类型：金属封装，带散热片
　　工作温度范围：-65°C 至 +150°C

特性

1DI300MP-140 是一款专为高功率射频应用设计的晶体管，其核心特性在于其高功率处理能力和高频性能。该晶体管可以在高达 1 GHz 的频率范围内提供稳定的输出功率，适合用于现代通信系统中的功率放大器设计。其高增益特性（约 12 dB）能够有效减少前级放大器的设计复杂度，提高整体系统的效率。
　　此外，该器件采用高导热性的金属封装，具有良好的散热性能，确保在高功率工作条件下仍能维持稳定的电气特性。其热稳定性使其适用于各种苛刻环境下的应用，如基站、广播发射机和测试设备。
　　1DI300MP-140 的 NPN 构造使其在偏置和匹配电路设计上具有较高的灵活性，工程师可以根据具体应用需求调整工作点，以优化放大器的线性度和效率。同时，其宽工作温度范围（-65°C 至 +150°C）也确保了在极端环境条件下的可靠性。

应用

1DI300MP-140 主要应用于高功率射频放大器的设计中，特别是在通信基础设施、广播发射机、工业射频加热系统和测试测量设备中。由于其高频性能和大功率处理能力，该晶体管非常适合用于 UHF 和 L 波段的无线通信系统，如 LTE 基站、数字广播系统和卫星通信设备。
　　在广播领域，1DI300MP-140 可用于 FM 和电视发射机的末级功率放大器，提供高效率和稳定的信号输出。在工业应用中，它可以用于射频能量发生器、等离子体发生装置和医疗设备中的射频功率模块。
　　此外，该晶体管也广泛用于实验室测试设备和现场服务设备中，作为高性能射频信号放大器的核心元件。