类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：60V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：260A（在TC=25℃时）
　　脉冲漏极电流（IDM）：1040A
　　导通电阻（RDS(on)）：2.6mΩ（典型值，VGS=10V）
　　封装形式：TO-263（D2PAK）
　　工作温度范围：-55℃至150℃

GM5BC96260AC的主要特性包括低导通电阻（RDS(on)），这有助于减少导通损耗并提高整体效率。该器件采用了先进的沟槽式MOSFET技术，提供了卓越的开关性能和热稳定性，使其适用于高频开关应用。此外，该MOSFET具有较高的雪崩能量承受能力，增强了系统的可靠性和耐久性。
　　其TO-263（D2PAK）表面贴装封装不仅便于散热，还支持自动化装配，适用于高密度PCB设计。该器件的栅极驱动电压范围较宽（通常为4.5V至10V），兼容多种驱动电路，包括常见的低压控制器。此外，其低门电荷（Qg）特性有助于减少开关损耗，提高电源转换效率。
　　在保护方面，该MOSFET具备良好的短路和过温保护能力，适用于工业级应用环境。其封装材料符合RoHS环保标准，适合绿色电子产品设计。

GM5BC96260AC适用于多种高功率和高频应用，如同步整流、DC-DC转换器、电池管理系统（BMS）、电机驱动、电源供应器、UPS系统、电动工具和电动车控制器等。由于其高电流承载能力和低导通电阻，该器件在高效率电源转换系统中表现出色，尤其适合需要高功率密度的设计。此外，该MOSFET也常用于太阳能逆变器、服务器电源和工业自动化设备中。

SiR882DP、IRF1324S-7PPBF、NVTFS5C471NLWFTAG、FDMS86181、IPB095N15N5