类型：肖特基二极管
　　配置：单个
　　最大重复反向电压（VRRM）：30V
　　最大直流反向电压（VR）：30V
　　最大正向整流电流（IF(AV)）：1A
　　峰值浪涌正向电流（IFSM）：30A
　　最大正向电压（VF）：550mV @ 1A, 25°C
　　最大反向漏电流（IR）：0.5mA @ 30V, 25°C
　　工作结温范围（TJ）：-55°C ~ +150°C
　　存储温度范围（Tstg）：-55°C ~ +150°C
　　封装/外壳：SOD-323（SC-76）
　　安装类型：表面贴装（SMD）
　　反向恢复时间（trr）：典型值5ns
　　热阻（RθJA）：约350°C/W
　　极性：阴极为标记端

1A11-NF1STSE 的核心优势在于其采用肖特基势垒结构，实现了极低的正向导通压降（VF），通常在550mV左右（测试条件为1A、25°C），相比传统的PN结二极管显著降低了导通损耗，提高了电源系统的整体效率。这种低VF特性使其特别适用于电池供电设备、移动电源、USB充电模块以及低压DC-DC转换电路中，能够有效减少发热，延长设备续航时间。同时，由于其较小的封装体积（SOD-323），非常适合高密度PCB布局，有助于缩小终端产品的尺寸。
　　该器件具备非常快的开关速度，反向恢复时间（trr）典型值仅为5ns，几乎不存在反向恢复电荷问题，因此在高频开关应用中表现优异，可有效抑制电压尖峰和电磁干扰（EMI），提升系统稳定性。这一特性使得1A11-NF1STSE 成为同步整流替代方案中的理想选择，尤其在轻载或中等负载条件下，相较于MOSFET驱动复杂性更高的方案，它提供了更简单且成本更低的解决方案。
　　1A11-NF1STSE 拥有良好的热性能和可靠性，可在-55°C至+150°C的结温范围内稳定运行，适应严苛的工作环境。其最大平均整流电流为1A，在适当的散热条件下可长时间持续工作。虽然SOD-323封装本身的热阻较高（约350°C/W），但通过优化PCB铜箔面积和布局，可以显著改善散热效果。此外，该器件具有较低的反向漏电流（最大0.5mA @ 30V），在常温下对功耗影响极小，但在高温环境下需注意漏电流上升的问题，必要时应进行降额使用。
　　从制造工艺上看，1A11-NF1STSE 采用先进的半导体制造技术，确保了批次间的一致性和长期供货稳定性。其无铅、无卤素设计符合现代环保法规要求，支持绿色电子产品认证。器件的阴极端有明显标记，便于自动化装配识别，降低贴片错误率。总体而言，这款二极管在性能、尺寸、可靠性和环保方面达到了良好平衡，是中小功率电源整流应用的理想选择。

1A11-NF1STSE 广泛应用于各类需要高效、小型化整流元件的电子设备中。常见用途包括便携式消费电子产品（如智能手机、平板电脑、蓝牙耳机）中的电源管理电路，用于电池充放电路径隔离、多电源切换及防反接保护。在DC-DC转换器中，特别是降压（Buck）和升压（Boost）拓扑结构中，该二极管常被用作续流二极管或输出整流二极管，利用其低正向压降特性减少能量损耗，提高转换效率。
　　此外，该器件也适用于USB供电接口（如USB-A、USB-C PD协议中的辅助电源路径）、适配器次级侧整流、LED驱动电源、小型家电控制板、IoT设备电源模块等场景。在通信设备中，可用于信号检波、钳位电路和静电保护路径中的整流功能。由于其快速响应能力，也可在高频开关电源中作为防止回流的隔离元件。
　　工业控制领域中，1A11-NF1STSE 常见于PLC模块、传感器供电单元、继电器驱动电路中的续流保护，防止感性负载断开时产生的反电动势损坏主控芯片。同时，因其小型封装和表面贴装特性，非常适合自动化大规模生产，广泛用于SMT贴片生产线。
　　在汽车电子中，尽管其未专门针对车规级AEC-Q101认证，但仍可用于非关键性的车载附件电源管理，如车载充电器、娱乐系统供电模块等。总之，凡是在30V以下电压系统中需要1A级别整流能力且追求高效率、小体积的应用，1A11-NF1STSE 都是一个可靠且经济的选择。

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　　 "RB168L-40TFTE-BO1",
　　 "BAT54C",
　　 "SS12",
　　 "SS14",
　　 "MBR130",
　　 "1N5819WS",
　　 "AO3401A"
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