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CY7C009V-20AXI 发布时间 时间:2025/11/4 2:41:25 查看 阅读:5

CY7C009V-20AXI 是 Cypress Semiconductor(现属于 Infineon Technologies)生产的一款高速、低功耗的双端口静态随机存取存储器(Dual-Port Static Random Access Memory, Dual-Port SRAM)。该器件专为需要高带宽、低延迟数据共享的应用而设计,广泛应用于通信系统、网络设备、数据缓冲和实时处理系统中。CY7C009V 系列提供 9K x 8 位的存储容量,即总共 8K 字节(8,192 字节),具有独立的两个端口,允许两个系统或处理器同时访问同一存储阵列而无需复杂的仲裁机制。该芯片采用 5V CMOS 工艺制造,兼容 TTL 电平,适合在工业级温度范围内稳定运行。其封装形式为 44 引脚 PLCC(Plastic Leaded Chip Carrier),型号后缀中的“-20”表示其最大访问时间为 20 纳秒,适用于对速度要求较高的应用场景。“AXI”后缀通常表示该器件符合特定的工业标准或可靠性规范,可能用于扩展温度范围或增强的电气特性。CY7C009V-20AXI 支持多种功能特性,如片选控制、输出使能、写使能以及主/从端口配置等,便于系统集成和灵活使用。

参数

型号:CY7C009V-20AXI
  制造商:Infineon Technologies (原 Cypress Semiconductor)
  存储容量:9K x 8 位 (8192 x 8)
  组织结构:双端口 SRAM
  访问时间:20 ns
  工作电压:5V ± 10% (4.5V 至 5.5V)
  输入/输出电平:TTL 兼容
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  封装类型:44-pin PLCC
  功耗类型:低功耗 CMOS
  最大静态电流:约 70mA(典型值)
  读取电流:随频率变化,动态功耗增加
  时钟频率:异步操作,无内部时钟
  端口类型:两个独立异步端口(左端口和右端口)
  片选信号:每个端口有两个片选(CE1, CE2 或 CE#1, CE#2)
  写使能:WE#, OE# 控制信号
  数据总线宽度:8 位(双向)
  地址总线宽度:13 位(A0-A12)

特性

CY7C009V-20AXI 的核心特性之一是其真正的双端口架构,允许两个独立的系统或处理器通过各自的地址、数据和控制总线同时访问相同的 SRAM 存储阵列。这种架构极大提升了多处理器系统之间的数据交换效率,避免了传统共享内存中常见的总线竞争问题。每个端口都具备完整的控制逻辑,包括独立的片选(Chip Enable)、输出使能(Output Enable)和写使能(Write Enable)信号,使得系统设计者可以灵活地控制读写操作,并实现端口间的通信握手机制。该器件支持“邮箱”功能,即通过特定地址单元传递控制信息或中断信号,从而实现两个端口之间的协调与同步。此外,CY7C009V-20AXI 具备“忙”标志(Busy Flag)机制,在两个端口试图同时访问同一地址时可产生硬件信号以防止数据冲突,确保数据完整性。
  该芯片采用高速 CMOS 技术,在保证 20ns 快速访问时间的同时维持较低的功耗水平,特别适用于高性能但对热管理有要求的嵌入式系统。其 5V 工作电压和 TTL 兼容的 I/O 接口使其能够无缝集成到许多传统的数字系统中,尤其是在工业自动化、电信交换设备和测试仪器等领域得到了广泛应用。器件的工作温度范围覆盖 -40°C 到 +85°C,满足工业级应用的严苛环境需求。封装形式为 44 引脚 PLCC,便于表面贴装和返修操作,适合高密度 PCB 设计。
  CY7C009V-20AXI 还支持多种省电模式,例如当某个端口未被选中时,相应部分电路进入高阻态以减少功耗。其异步操作特性意味着不需要外部时钟信号驱动,简化了系统时序设计,但也要求外部控制器精确控制地址建立和保持时间以确保可靠读写。整体而言,这款双端口 SRAM 提供了高性能、高可靠性和良好的系统兼容性,是构建实时数据共享系统的理想选择。

应用

CY7C009V-20AXI 广泛应用于需要高速、低延迟数据交换的双处理器或多系统架构中。一个典型的应用场景是在通信设备中作为两个处理器之间的共享缓冲区,例如在一个路由器或交换机中,主控 CPU 和网络协处理器通过该双端口 SRAM 实现高效的数据包传递与状态同步。由于其独立的双端口设计,两个处理器可以并行工作,一个负责接收数据写入 SRAM,另一个则从中读取并进行后续处理,显著提升系统吞吐量。
  在工业控制系统中,CY7C009V-20AXI 常用于连接不同功能模块,如 PLC(可编程逻辑控制器)中的主控单元与 I/O 扫描模块之间,实现快速的状态更新与命令传输。它也常用于雷达信号处理、视频图像采集系统等实时性要求高的场合,其中前端采集设备将原始数据写入双端口 RAM,而后端 DSP 或 FPGA 同时读取进行算法处理,避免了数据瓶颈。
  此外,该芯片还适用于测试与测量仪器,如示波器、逻辑分析仪等,用于暂存采样数据供主机系统分析。在军事和航空航天领域,因其具备工业级温度适应能力和高可靠性,也被用于某些嵌入式任务关键型系统中。尽管随着技术发展,FIFO、DMA 和现代高速串行接口逐渐替代部分传统双端口 RAM 应用,但在需要简单、确定性延迟和硬件级并发访问的场景下,CY7C009V-20AXI 依然具有不可替代的优势。

替代型号

CY7C009V-25AXI,CY7C009V-15AXI,IS61WV5128BLL-12ML,AS7C009-20BIN

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CY7C009V-20AXI参数

  • 数据列表CY7C008/9/18/19V
  • 标准包装90
  • 类别集成电路 (IC)
  • 家庭存储器
  • 系列-
  • 格式 - 存储器RAM
  • 存储器类型SRAM - 双端口,异步
  • 存储容量1M (128K x 8)
  • 速度20ns
  • 接口并联
  • 电源电压3 V ~ 3.6 V
  • 工作温度-40°C ~ 85°C
  • 封装/外壳100-LQFP
  • 供应商设备封装100-TQFP(14x14)
  • 包装托盘