类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：900V
　　最大栅源电压(Vgs)：±30V
　　最大连续漏极电流(Id)：2.5A
　　导通电阻(Rds(on))：约1.5Ω
　　最大功率耗散(Pd)：50W
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装形式：TO-220、DPAK等

HV275C具有多项优异的电气特性，首先其高耐压能力（Vds高达900V）使其适用于高压电源转换和开关电路。其次，其较低的导通电阻（Rds(on)约为1.5Ω）有助于降低导通损耗，提高系统效率。此外，该器件具备良好的热稳定性和较高的功率耗散能力（50W），可以在高温环境下稳定工作。
　　该MOSFET的栅极驱动电压范围较宽（±30V），兼容多种驱动电路设计，提高了设计灵活性。同时，HV275C具备较快的开关速度，适用于高频开关应用，有助于减小外围元件的体积并提高整体系统效率。
　　在封装方面，HV275C通常采用TO-220或DPAK等标准封装形式，便于安装和散热管理。其广泛的工作温度范围（-55°C至+150°C）也使其适用于各种恶劣的工作环境。

HV275C广泛应用于多个高电压和中等电流的功率电子系统中。常见的应用包括：开关电源（SMPS）、LED驱动电源、马达控制电路、变频器、工业自动化设备、高压DC-DC转换器、照明控制系统以及家用电器中的功率控制模块。
　　由于其高耐压特性，HV275C在反激式和正激式电源拓扑中表现良好，能够有效减少开关损耗，提高整体效率。此外，在电机控制和逆变器应用中，HV275C能够承受较高的瞬态电压，确保系统的稳定性和可靠性。
　　在LED照明应用中，HV275C可用于构建高效的恒流驱动电路，支持宽电压输入范围，适用于高压LED模组的驱动设计。

IRF840, FQA2N90, STF9NM80, 2SK2142