时间：2025/8/9 13:15:18
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19N60是一种常用的N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机控制和各种高功率电子设备中。该器件采用TO-220封装，具有高耐压、低导通电阻和良好的热稳定性，适合于高效率、高频率的开关操作。19N60的设计使其在导通状态下的功率损耗较低，有助于提升整体系统效率。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压(Vds)：600V
栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：19A（在Tc=100℃时）
导通电阻(Rds(on))：0.25Ω（最大值）
工作温度范围：-55℃至150℃
封装形式：TO-220
19N60具备多个关键特性，使其在众多功率MOSFET中脱颖而出。首先，其高耐压能力（600V）使其适用于多种高电压应用场景，如开关电源和功率因数校正电路。其次，导通电阻Rds(on)的最大值为0.25Ω，这有助于降低导通损耗，提高系统效率。
此外，19N60采用TO-220封装，具有良好的散热性能，能够在较高温度下稳定工作。其最大连续漏极电流为19A（在Tc=100℃时），能够支持较大的负载电流，满足高功率需求。
该器件的栅源电压范围为±20V，提供了较宽的驱动电压范围，适用于多种驱动电路。同时，其工作温度范围为-55℃至150℃，确保了在极端环境下的可靠性。
19N60还具备快速开关特性，能够适应高频开关应用，从而减小外部滤波元件的体积，提高系统的响应速度和效率。这些特性共同构成了19N60在电源管理和功率控制领域的广泛应用基础。
19N60主要用于各类高功率电子设备中，包括开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、电机控制器、逆变器、UPS系统、LED驱动电源以及工业自动化设备中的功率控制模块。其高耐压和低导通电阻特性使其在这些应用中能够有效降低功率损耗，提高整体效率，并增强系统的稳定性。
FQA19N60C、IRFPG50、FGA25N60SMD、15N60C
