19N57ES 时间：2025/8/9 6:22:26 阅读：13

19N57ES 是一款N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于电源管理和功率转换领域。这款MOSFET具有低导通电阻、高耐压和高效率的特点，适用于开关电源、DC-DC转换器和负载开关等多种应用场景。19N57ES通常采用TO-220或DPAK等封装形式，以适应不同的电路设计需求。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压(VDS)：500V
　　最大漏极电流(ID)：19A
　　导通电阻(RDS(on))：0.18Ω（典型值）
　　栅极电压(VGS)：±20V
　　最大功耗(PD)：125W
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装形式：TO-220、DPAK（根据制造商不同可能有所变化）

特性

19N57ES是一款高性能的N沟道MOSFET，具备出色的导通性能和开关特性。其低导通电阻（RDS(on)）可有效降低导通损耗，提高系统效率。该器件的高耐压能力（500V）使其适用于高压电源转换应用。此外，19N57ES具备良好的热稳定性和高功率耗散能力，能够在较宽的温度范围内稳定工作。其栅极驱动电压范围较宽（±20V），兼容多种驱动电路设计，便于实现高效的开关控制。19N57ES还具备较强的短路和过载承受能力，适合在高可靠性要求的应用中使用。
　　在封装方面，19N57ES通常采用TO-220或DPAK封装，具有良好的散热性能和机械稳定性，便于安装和使用。该器件符合RoHS环保标准，适用于现代电子设备的绿色制造要求。

应用

19N57ES广泛应用于多种功率电子系统中，包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机驱动器、负载开关和电池管理系统等。其高耐压和大电流能力使其适用于高压电源转换场合，如工业电源、UPS不间断电源、LED驱动电源和变频器等设备。此外，19N57ES也可用于功率因数校正（PFC）电路和同步整流电路，以提高系统效率并降低能耗。在汽车电子和新能源领域，19N57ES还可用于车载充电器、电动工具和太阳能逆变器等应用。