SM2100BF 时间：2025/8/13 21:51:24 阅读：14

SM2100BF 是一款由 Sanken（三健）公司制造的 N 沟道功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件专为高功率开关应用而设计，适用于电源管理、DC-DC 转换器、电机控制、负载开关等场景。SM2100BF 具有低导通电阻、高耐压和良好的热性能，能够在高温和高负载条件下稳定工作。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：200A（在 25°C）
　　最大漏源电压（VDS）：100V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：最大 3.8mΩ（典型值 2.9mΩ）
　　功率耗散（PD）：300W
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　封装形式：TO-263（D2PAK）

特性

SM2100BF 采用先进的沟槽栅技术，实现了极低的导通电阻，从而降低了导通损耗，提高了效率。
　　该器件具有较高的电流承载能力，能够在大电流负载下保持稳定运行。
　　SM2100BF 的封装设计（TO-263）具备良好的热管理性能，有助于散热，适用于高功率密度的设计。
　　其栅极结构经过优化，具有较低的输入电容和门极电荷，有助于提高开关速度，减少开关损耗。
　　此外，该 MOSFET 在高温下仍能保持良好的导通性能，适用于苛刻的工作环境。

应用

SM2100BF 广泛应用于各类高功率电子系统中，包括但不限于：
　　工业电源系统中的 DC-DC 转换器和负载开关。
　　电动工具和电动汽车中的电机驱动电路。
　　电池管理系统（BMS）中的高边或低边开关。
　　通信设备电源模块中的同步整流器。
　　不间断电源（UPS）和逆变器系统中的功率开关器件。